[发明专利]一种高质量氧化铝光子晶体的制备方法无效
| 申请号: | 200710053372.0 | 申请日: | 2007-09-26 |
| 公开(公告)号: | CN101220510A | 公开(公告)日: | 2008-07-16 |
| 发明(设计)人: | 郭东来;邹宪武 | 申请(专利权)人: | 武汉大学 |
| 主分类号: | C30B29/20 | 分类号: | C30B29/20;C30B30/02;C25D11/04 |
| 代理公司: | 武汉华旭知识产权事务所 | 代理人: | 刘荣 |
| 地址: | 43007*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 质量 氧化铝 光子 晶体 制备 方法 | ||
1.一种高质量氧化铝光子晶体的制备方法,其特征在于采用如下步骤制备:
(1)对铝片依次用相应的常规方法进行去油、表面清洗、电化学抛光的处理;
(2)对处理过的铝片用常规方法进行阳极氧化,阳极氧化的次数为1次,或者反复进行数次;
(3)将阳极氧化后铝片表面的氧化铝膜溶解,得到干净的铝片;
(4)选择15伏到80伏之间的任一恒定电压值对干净的铝片阳极氧化,待电流稳定后,使用1~20mA/cm2的高恒定电流密度对铝片阳极氧化10秒到10分钟,然后使用0.1~10mA/cm2的低恒定电流密度对铝片阳极氧化10秒到10分钟,且高、低电流密度的比值在2∶1到10∶1之间,重复上述阳极氧化过程,重复的次数即为制备氧化铝光子晶体的层数;
(5)将制得的氧化铝光子晶体置于饱和HgCl2溶液中去掉氧化铝膜上剩余的铝后,取出清洁并干燥后得到高质量的氧化铝光子晶体。
2.根据权利要求1所述高质量氧化铝光子晶体的制备方法,其特征在于:在步骤(4)中的重复阳极氧化过程中,可以使高、低恒定电流密度对铝片阳极氧化的时间依次递减,每次重复周期阳极氧化时间递减0.01~1秒。
3.根据权利要求1所述的高质量氧化铝光子晶体的制备方法,其特征在于:先用丙酮去除铝片表面的油,再分别用稀强酸溶液和稀强碱溶液对铝片进行表面清洗,稀强酸溶液和稀强碱溶液的浓度均小于1mol/L。
4.根据权利要求1所述高质量氧化铝光子晶体的制备方法,其特征在于:使用4~10wt%磷酸和1~3wt%铬酸的混和溶液溶解在铝片表面形成的氧化铝膜。
5.根据权利要求1所述的高质量氧化铝光子晶体的制备方法,其特征在于:阳极氧化的恒定电压选择在15~25伏之间时,使用0.1~2mol/L的硫酸做电解液;恒定电压选择在25~80伏之间时,使用0.1~2mol/L的草酸做电解液,阳极氧化的阳极为铝片,阴极为惰性材料。
6.根据权利要求1所述的高质量氧化铝光子晶体的制备方法,其特征在于:阳极氧化在0到30摄氏度的环境温度中进行。
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