[发明专利]一种微纳深沟槽结构测量方法及装置

权利要求书

1.一种微纳深沟槽结构测量方法，其步骤包括：

(A)将红外激光束投射到被测硅片表面的深沟槽区域，红外激光束的波长为1.4μm-28μm；

(B)硅片表面的反射光束、沟槽底部的反射光束以及从其它分界面的反射光束产生干涉，利用红外探测器接收该干涉信号，分析得到反射光谱特征数据；

(C)根据深沟槽结构特点选取多层薄膜堆栈光学模型，描述深沟槽结构的光学参数；

(D)利用公式(I)计算薄膜堆栈的反射系数，再利用计算得到的各波长下的等效薄膜堆栈的反射系数获得该沟槽结构的反射光谱；

$r=\frac{M_{21}}{M_{11}}---\left(I\right)$

其中，$\left(\begin{array}{cc}{M}_{11}& M_{12}\\ M_{21}& M_{22}\end{array}\right)=D_0^{-1}\left[\underset{l=1}{\overset{N}{\mathrm{\Π}}}{D}_l{P}_l{D}_l^{-1}\right]D_s,$D₀是环境的光学特征矩阵，D_s是基底的光学特征矩阵，D_l是膜堆栈第l层的折射率和折射角的矩阵函数，P_l是第l层相位变化角的矩阵函数；

(E)通过等效光学模型反射光谱拟合反射光谱，提取得到薄膜厚度、沟槽深度和沟槽宽度。