[发明专利]大功率LED半导体高亮度照明灯无效

专利信息
申请号: 200710052708.1 申请日: 2007-07-11
公开(公告)号: CN101346021A 公开(公告)日: 2009-01-14
发明(设计)人: 马玉林;孙立刚;段培祥 申请(专利权)人: 武汉承光博德光电科技有限公司
主分类号: H05B37/02 分类号: H05B37/02;F21V23/00;F21Y101/02
代理公司: 武汉楚天专利事务所 代理人: 雷速
地址: 430024湖北省武汉市江岸区*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 大功率 led 半导体 亮度 照明灯
【权利要求书】:

1、一种大功率LED半导体高亮度照明灯,包括灯体、灯罩、多只大功率LED半导体发光二极管,其特征是:所述照明灯设置有高频半波脉冲供电电源(4)、稳压匹配电路(5),所述高频半波脉冲供电电源(4)的输入端与120~250V交流电源连接,其输出端与稳压匹配电路(5)的电源输入端连接;所述稳压匹配电路(5)上的电源输出端分别与多路LED半导体发光二极管(3)的串联电路(6)并联连接。

2、根据权利要求1所述的大功率LED半导体高亮度照明灯,其特征是:所述高频半波脉冲供电电源(4)由交流滤波整流电路(7)、开关变压器(8)、功率因数校正控制集成块(9)及外围元件、场效应开关管(10)、高速整流二极管(11)组成;所述交流滤波整流电路(7)的直流电压正极输出端(7-1)分别与以下元件连接:

①与开关变压器(8)的初级线圈的一端连接,该初级线圈的另一端与场效应开关管(10)的输出端(10-1)和高速整流二极管(11)的正极公共端连接,高速整流二极管(11)的负极与高频半波脉冲供电电源(4)的输出端正极(4-1)连接;

②通过电阻R8与功率因数校正控制集成块(9)的(9-15)端连接;

③通过电阻R7、R17串联后与功率因数校正控制集成块(9)的(9-9)端连接,电阻R7与R17的公共端还与功率因数校正控制集成块(9)的(9-6、9-11)连接;

④通过电阻R4、R5、R6串联与高频半波脉冲供电电源(4)的输出端负极(4-2)连接,R5与R6的公共端与功率因数校正控制集成块(9)的(9-8)端连接。

3、根据权利要求1所述的大功率LED半导体高亮度照明灯,其特征是:所述交流滤波整流电路(7)的直流电压负极输出端(7-2)分别与以下元件连接:

①与电阻R1的一端连接,电阻R1的另一端A点与高频半波脉冲供电电源(4)的输出端负极(4-2)连接,场效应开关管(10)的另一个输出端(10-2)也与A点连接;

②通过电阻R10与功率因数校正控制集成块(9)的(9-5)端连接;

③通过电阻12与功率因数校正控制集成块(9)的(9-2)端连接。

4、根据权利要求1所述的大功率LED半导体高亮度照明灯,其特征是:所述开关变压器(8)的次极线圈直流变换负极(8-1)通过电阻R9也与功率因数校正控制集成块(9)的(9-15)端连接,其正极(8-2)与A点连接,功率因数控制集成块(9)的(9-4)端通过电阻R11也与A点与连接。

5、根据权利要求1所述的大功率LED半导体高亮度照明灯,其特征是:所述场效应开关管(10)的控制端(10-3)通过电阻R13与功率因数校正控制集成块(9)的(9-16)端连接。

6、根据权利要求1所述的大功率LED半导体高亮度照明灯,其特征是:所述高频半波脉冲供电电源(4)的输出端正极(4-1)和负极(4-2)之间还串联有电阻R2、R3,电阻R2和R3的公共端通过二极管D5与功率因数控制集成块(9)的(9-6、9-11)连接。

7、根据权利要求1所述的大功率LED半导体高亮度照明灯,其特征是:所述功率因数校正控制集成块(9)采用TK81854集成电路块,场效应开关管(10)采用VTCMOS管。

8、根据权利要求1所述的大功率LED半导体高亮度照明灯,其特征是:所述稳压匹配电路板(5)采用双面铜印刷板,并设有多个散热孔。

9、根据权利要求1所述的大功率LED半导体高亮度照明灯,其特征是:所述多路LED半导体发光二极管串联电路(6)的发光二极管(3)串联数为60-80只/每路。

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