[发明专利]一种制备太阳能电池对电极的方法无效
| 申请号: | 200710052636.0 | 申请日: | 2007-07-04 |
| 公开(公告)号: | CN101097972A | 公开(公告)日: | 2008-01-02 |
| 发明(设计)人: | 赵兴中;周聪华;胡浩;陈博磊 | 申请(专利权)人: | 武汉大学 |
| 主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L51/48;H01L21/283;H01G9/04;H01G9/20;H01M14/00;H01M4/04 |
| 代理公司: | 武汉天力专利事务所 | 代理人: | 程祥;冯卫平 |
| 地址: | 43007*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 制备 太阳能电池 电极 方法 | ||
技术领域
本发明属于染料和量子点敏化纳米晶太阳能电池领域,具体涉及一种制备太阳能电池对电极的方法。
背景技术
在染料或量子点敏化纳米晶太阳能电池和量子点敏化纳米晶太阳能电池的组成结构中,通常都有一块对电极(counter electrode),这块对电极是通过在导电玻璃的导电薄膜上沉积上一层金属铂薄膜而得到的。然而在电池的使用过程中,这层铂薄膜很容易脱落,并且采用导电玻璃作为衬底增加了成本。
在电池的测试和使用过程中,需要对电极的表面铂薄膜与衬底之间具有较大的附着力,能够重复使用。而为了获得理想的电池性能,对电极本身的电阻不能过大,否则会降低电池的填充因子。这就要求对电极上面的导电薄膜具有较小的电阻。
发明内容
本发明就是针对上述现有技术存在的不足,提供一种制备太阳能电池对电极的方法。该方法制得的对电极不仅具有良好导电性能,而且对电极的表面薄膜与衬底之间具有较大的附着力。
本发明提供的技术方案是:以载玻片为衬底,采用磁控溅射方法依次在载玻片上沉积金属钛薄膜和金属铂薄膜。
本发明在满足上述依次在载玻片上沉积金属钛薄膜和金属铂薄膜的基础上,可根据任意选取所沉积的金属钛薄膜和金属铂薄膜的总厚度,但金属钛薄膜和金属铂薄膜的总厚度优选在0.4~1.3微米之间。
本发明的金属钛薄膜的沉积条件优选为:衬底加热到300~350度,直流电流300~340mA,沉积时间10~15分钟;金属铂薄膜沉积条件优选为:衬底加热到300~350度,直流电流100~260mA,沉积时间2~4分钟以内。
本发明采用普通的载玻片作为衬底,采用磁控溅射方法依次在载玻片上沉积金属钛薄膜和金属铂薄膜,利用金属钛的良好的粘结性能和金属膜自身的良好导电性能,在维持了高导电率的条件下面提高了对电极的黏附性能。此外,与现有技术中单纯采用金属铂薄膜相比,在相同薄膜总厚度条件下,本发明采用相对廉价的金属钛薄膜替代了部分金属铂薄膜,因此,在很大程度上降低了金属铂的使用,降低了成本。本发明工艺重复性高,所得的对电极薄膜致密,电导率高,黏附性强而且相对于现有技术中的对电极工艺降低了成本。另外,本发明金属铂薄膜覆盖在金属钛薄膜上面,形成合金结构,阻止了金属钛被空气中的氧或者电解质中的氧化物所氧化,有利于维持对电极的性能稳定。
附图说明
图1为导电玻璃上面直接沉积的Pt所得的对电极使用三个月以后的效果片;
图2为本发明制得的对电极使用三个月以后的效果片。
具体实施方式:
以下结合具体的实施例对本发明的技术方案作进一步的说明。
实施例一采用磁控溅射法制备太阳能电池对电极
1,将载玻片固定在磁控溅射仪的托盘上;
2,加热衬底至350度,调节直流300mA,沉积金属钛薄膜10分钟;
3,加热衬底至350度,调节直流100mA,沉积金属铂薄膜4分钟;
4,采用台阶仪测量所得的两层薄膜的厚度为0.48微米;采用四探针法测量对电极薄膜的方块电阻为0.675Ω·cm2。作为对比,同样的方法测得FT0导电膜的方块电阻为18.9Ω·cm2。前者的大小是后者的1/28。
5,组装成液态染料敏化纳米晶二氧化钛太阳能电池,在模拟太阳光(1个太阳,太阳模拟器型号为Oriel 91192)下测得其填充因子平均达到0.68。
实施例二采用磁控溅射法制备太阳能电池对电极
1,将载玻片固定在磁控溅射仪的托盘上;
2,加热衬底至300度,调节直流340mA,沉积金属钛薄膜15分钟;
3,加热衬底至300度,调节直流260mA,沉积金属铂薄膜3分钟;
4,采用台阶仪测量所得的两层薄膜的厚度为1.31微米;采用四探针法测量对电极薄膜的方块电阻为0.243Ω·cm2。作为对比,同样的方法测得FTO导电膜的方块电阻为18.9Ω·cm2。前者的大小是后者的1/77。
5,组装成液态染料敏化纳米晶二氧化钛太阳能电池,在模拟太阳光(1个太阳,太阳模拟器型号为Oriel 91192)下测得其填充因子平均达到0.68。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





