[发明专利]一种异养硝化好氧反硝化细菌及其培养方法和用途有效
| 申请号： | 200710049432.1 | 申请日： | 2007-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN101338282A | 公开（公告）日： | 2009-01-07 |
| 发明（设计）人： | 黄钧;杨航;李毅军 | 申请（专利权）人： | 中国科学院成都生物研究所 |
| 主分类号： | C12N1/20 | 分类号： | C12N1/20;C02F3/34;C12R1/40 |
| 代理公司： | 成都赛恩斯专利代理事务所 | 代理人： | 彭晓波 |
| 地址： | 610041四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 硝化 好氧反 硝化细菌 及其 培养 方法 用途 | ||
1.一种异养硝化好氧反硝化细菌，其特征在于该细菌是恶臭假单胞菌(Pseudomonas putida)DN1.2，保藏登记号为CCMCC M207075。
2.一种培养权利要求1中所述细菌的方法，其特征在于：该方法中碳源为葡萄糖，氮源 为硫酸铵，按照C/N质量比为2∶1～16∶1配制有机碳源的培养基，在pH为6.0～8.5，温 度为25～37℃条件下培养细菌。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于：按照C/N质量比为4∶1～12∶1配制有机碳源 的培养基，在pH为7.0～7.5，温度为30～34℃条件下培养细菌。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于：按照C/N质量比为8∶1～12∶1配制有机碳源 的培养基，在pH为7.5，温度为30℃条件下培养细菌。
5.一种培养权利要求1所述细菌的方法，其特征在于：该方法中碳源为碳酸钙，氮源为 硫酸铵，在pH为6.0～8.5，温度为25～37℃条件下培养细菌。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征是：在pH为7.0～7.5，温度为30～34℃条件下培养 细菌。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征是：在pH为7.5，温度为30℃条件下培养细菌。
8.一种在水体中脱氮的细菌培养物，含有效量的一种如权利要求1中所述的细菌。
9.一种权利要求1中所述的细菌在水体生物脱氮中的应用。
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