[发明专利]一种定点沉积介质颗粒的方法

说明书

技术领域

本发明涉及形成半导体器件的制程，尤其涉及一种定点沉积介质颗粒的方法。

背景技术

半导体业中在半导体器件上沉积特定的颗粒，一般是用于缺陷扫描机台的校正和扫描程式的建立。例如，为了获得半导体器件最佳的清洗效果，通常需要通过设定不同的清洗溶液配比或者尝试不同的清洗方式，观察半导体器件上的颗粒在清洗过程中的运动轨迹。

随着现在半导体器件的尺寸越来越小，如何在达到最好清洗效果但是又不破坏器件是现在清洗实验希望达到的效果。通常根据不同的实验目的制作不同的半导体器件。在清洗实验中，需要表面上分布有颗粒的半导体器件。目前的方法只能在整个半导体器件上分布颗粒，尚无可以在半导体器件的指定区域附着颗粒的方法。这种方法形成的颗粒分布不够均匀，在实验过程中很难定位，很难观察颗粒在清洗过程中运动的轨迹。

因此，现需要一种便于在清洗过程中观察颗粒运动的半导体器件。

发明内容

本发明的目的在于提供一种定点沉积介质颗粒的方法，可以将介质颗粒沉积在半导体器件的指定区域。

为实现上述目的，本发明提供一种定点沉积介质颗粒的方法，半导体器件包括基板和介质层，其中，介质颗粒与介质层的电势相反，但与光阻的电势相同；该方法包括如下步骤：a.在半导体器件的介质层上涂布一层光阻；b.通过显影制程，去除一部分光阻以露出介质层；c.散布介质颗粒，由于电势的吸引作用，介质颗粒沉积到介质层的表面；d.通过光阻清洗液去除光阻，则在半导体器件的指定区域沉积了介质颗粒。

与现有技术相比，本发明可以将介质颗粒沉积在半导体器件的指定区域，在实验观察中很容易定位，而且在指定区域沉积，更有利于在清洗过程中观察颗粒在半导体器件表面不同区域的运动轨迹，节约了实验成本，提高了实验观察的效率。

附图说明

通过以下对本发明的一实施例结合其附图的描述，可以进一步理解其发明的目的、具体结构特征和优点。其中，附图为：

图1-图5是本发明定点沉积介质颗粒的示意图。

具体实施方式

如图1-图5所示，本发明采用的半导体器件包括基板1和介质层3，首先在半导体器件的介质层3上涂布一层光阻5，并选择相应的光罩，通过显影制程，去除一部分光阻5以露出介质层3；然后在介质层3上散布介质颗粒7，介质颗粒7和介质层3的电势相反，所以两者互相吸引，介质颗粒7沉积到介质层3的表面。最后，通过光阻清洗液去除光阻5，则在半导体器件的指定区域形成了介质颗粒。

本发明提供一种较佳实施例。图1中介质层3为氮化硅层，需要在氮化硅层3上沉积氧化硅颗粒7，以形成半导体器件的氮化硅层3上的氧化硅颗粒7分布的器件，以便测试观察清洗过程中氧化硅颗粒7的分布情况。

图1中介质层3为氮化硅层，介质颗粒7为氧化硅颗粒，需要在半导体器件的氮化硅层3上沉积氧化硅颗粒7的方法包括如下步骤：

a.先在氮化硅层3上涂布一层光阻5；

b.选择相应的光罩，通过显影制程，去除一部分光阻5以露出氮化硅层3；所述光罩包含特定图形的进行显影，该特定图形是定点沉积介质颗粒的区域形状一致；

c.将半导体器件置入颗粒沉积系统的沉积腔中，颗粒沉积系统将包含氧化硅的水溶液喷入沉积腔内；

d.由于氧化硅颗粒7与氮化硅层3表面Zeta电势的差异，相互吸引，而氧化硅颗粒7与光阻5表面相互排斥，颗粒7在沉积腔中自然下落过程中会选择性的沉积到显影开的氮化硅层3区域，喷入沉积腔中的氧化硅颗粒7以一定比例沉积到显影开的氮化硅层3区域，其他的颗粒7悬浮在沉积腔内；

e.等沉积颗粒7数目达到指定要求时，将半导体器件从颗粒沉积系统中取出，采用光阻清洗液洗去光阻5即可。

通过上述步骤形成了氮化硅层3上指定区域分布有氧化硅颗粒7的测试模型，而且氧化硅颗粒7的分布也较为均匀，容易在后续测试过程中定位分析。

在本发明其他较佳实施例中，只要满足沉积颗粒7与光阻5的电势相同，而被沉积的介质3的电势与沉积颗粒7的电势相反均涵盖在本发明定点沉积介质颗粒范围。