[发明专利]一种CuxO电阻存储器的湿法氧化制备方法

权利要求书

1.一种Cu_xO电阻存储器的湿法氧化制备方法，其特征在于该存储器中，作为存储介质的Cu_xO采用湿法氧化方法制备，具体步骤为：用浓度为10％到50％的双氧水溶液，在40℃度到80℃下，接触暴露出的Cu表面，从而得到存储介质Cu_xO。

2.如权利要求1所述的Cu_xO电阻存储器湿法氧化制备方法与双大马士革铜互联工艺集成，具体步骤如下：常规的双大马士革铜互连工艺进行到沟槽和通孔图形刻蚀制作完毕，铜上方的盖帽层被打开前，

(1)、对于除了需要生长Cu_xO存储介质的通孔以外的其它部分，采用光刻工艺，用光刻胶保护；

(2)、用刻蚀方法去除要生长Cu_xO存储介质的铜引线上方的盖帽层，暴露出下方的铜，要生长Cu_xO存储介质的通孔以外的其它通孔则被光刻胶保护；

(3)、去除起保护作用的光刻胶；

(4)、采用湿法氧化方法制备存储介质Cu_xO，即用浓度10％到50％的双氧水溶液，在温度40℃到80℃下，接触暴露出的Cu引线表面，从而得到存储介质Cu_xO；

(5)、然后以Cu_xO存储介质上方形成的铜化合物介质层或者Cu_xO存储介质本身作为掩膜，刻蚀去掉其它未生长存储介质的铜线上方的盖帽层；再按照双大马士革工艺步骤，依次沉积阻挡层、籽晶层、电化学方法镀铜、退火、化学机械抛光、沉积盖帽层。

3.如权利要求1所述的Cu_xO电阻存储器湿法氧化制备方法与单大马士革铜互联工艺集成，具体步骤如下：常规的单大马士革铜互连工艺进行到铜塞上的沟槽形成完毕，铜栓上方的盖帽层被打开前，

(1)、对于除了需要生长Cu_xO存储介质的沟槽以外的其它部分，采用常规光刻工艺，用光刻胶保护；

(2)、用刻蚀方法去除要生长Cu_xO存储介质的铜栓上方的衬垫层，暴露出下方的铜，在这个过程中，要生长Cu_xO存储介质的沟槽以外的其它沟槽则被光刻胶保护；

(3)、去除起保护作用的光刻胶；

(4)、采用湿法氧化方法制备存储介质Cu_xO，即用浓度10％到50％的双氧水溶液，在温度40℃到80℃下，接触暴露出的铜栓表面，从而得到存储介质Cu_xO；

(5)、以下的步骤都为常规的单大马士革工艺步骤，包括沉积阻挡层、籽晶层、电化学方法镀铜、退火、化学机械抛光、沉积盖帽层。

4.如权利要求1所述的Cu_xO电阻存储器湿法氧化制备方法与以上电极作为保护层结构的Cu_xO电阻存储器制造工艺集成，具体步骤如下：

(1)、采用常规的大马士革铜互连工艺，在沟槽中制作铜引线；

(2)、在所述铜引线上方形成盖帽层；

(3)、在所述盖帽层中需要形成存储器的位置制作出孔洞，而不需要制作存储器的位置由盖帽层保护；

(4)、以盖帽层为掩模将位于所述孔洞底部的铜湿法氧化形成Cu_xO存储介质；

(5)、采用自对准方式在孔洞中填充上电极金属材料；

(6)、采用化学机械抛光方法磨除多余的上电极材料，形成上电极位于所述的盖帽层孔洞中的结构，在接下来的工艺集成过程中，上电极做为存储介质的保护层；

(7)、进一步采用大马士革铜互连工艺进行后续工艺步骤，包括在样品表面制作介质层，然后在介质层中开出沟槽和通孔，开出通孔的位置在存储器的上电极上方以及需要与引出连接线的器件上方，接下来沉积阻挡层、籽晶层、电化学方法镀铜、退火、化学机械抛光、沉积盖帽，完成引线制作。