[发明专利]半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供半导体结构，在所述半导体结构上具有介质层，在所述介质层中具有金属互连线；

在所述金属互连线和介质层上形成铝金属层；

在所述铝金属层上形成金属阻挡层，用于阻止刻蚀工艺产生的副产物进入铝金属层的晶粒间隙中而形成缺陷，所述金属阻挡层为钽、氮化钽、钛、钛化钨、钨、钼、钴、铂中的一种；

图形化所述金属阻挡层和铝金属层，形成引线焊垫；

在所述金属阻挡层和介质层上、引线焊垫和金属阻挡层的侧壁形成钝化层；

在所述钝化层中形成底部露出所述金属阻挡层的开口。

2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：形成所述金属阻挡层的工艺与形成所述铝金属层的工艺在同一工艺腔中原位进行或在不同的工艺腔中分别进行。

3.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：形成所述金属阻挡层的方法为物理气相沉积、化学气相沉积、电镀中的一种。

4.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：所述金属阻挡层为一层或多层。

5.如权利要求1至3任一权利要求所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述金属阻挡层为：

钽金属层和氮化钽层的交替堆叠结构；或

钽金属层-氮化钽层-钽金属层的堆叠结构。

6.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，进一步包括：去除所述开口底部的金属阻挡层。

7.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供半导体结构，在所述半导体结构上具有介质层，在所述介质层中具有金属互连线；

在所述金属互连线和介质层上形成铝金属层；

图形化所述铝金属层，形成引线焊垫；

在所述引线焊垫上形成金属阻挡层，用于阻止刻蚀工艺产生的副产物进入铝金属层的晶粒间隙中而形成缺陷，所述金属阻挡层覆盖所述引线焊垫的上表面及侧壁；

在所述金属阻挡层和介质层上形成钝化层；

在所述钝化层中形成底部露出所述金属阻挡层的开口。

8.如权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述引线焊垫上形成金属阻挡层的步骤如下：

在所述介质层和引线焊垫上沉积金属阻挡层；

在所述金属阻挡层上形成光刻胶层；

图形化所述光刻胶层，在所述引线焊垫上方形成光刻胶图案；

去除未被所述光刻胶图案覆盖的金属阻挡层；

去除所述光刻胶图案。

9.如权利要求7或8所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：所述金属阻挡层为一层或多层。

10.如权利要求9所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：所述金属阻挡层为钽、氮化钽、钛、氮化钛、钛化钨、钨、钼、钴、铂中的一种。

11.如权利要求7或8所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述金属阻挡层为：

钽金属层和氮化钽层的交替堆叠结构；或

钽金属层-氮化钽层-钽金属层的堆叠结构；或

钛金属层和氮化钛层的交替堆叠结构；或

钛金属层-氮化钛层-钛金属层的交替堆叠结构。

12.如权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，进一步包括：去除所述开口底部的金属阻挡层。

13.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供半导体结构，在所述半导体结构上具有第一介质层，在所述第一介质层中具有金属互连线，在所述第一介质层上具有第二介质层，在所述第二介质层中具有底部露出所述金属互连线的第一开口；

在所述第一开口中和第二介质层上形成铝金属层；

在所述铝金属层上形成金属阻挡层，用于阻止刻蚀工艺产生的副产物进入铝金属层的晶粒间隙中而形成缺陷，所述金属阻挡层为钽、氮化钽、钛、钛化钨、钨、钼、钴、铂中的一种；

图形化所述铝金属层和金属阻挡层，形成引线焊垫；

在所述金属阻挡层和第二介质层上、引线焊垫和金属阻挡层的侧壁形成钝化层；

在所述钝化层中形成底部露出所述金属阻挡层的第二开口。