[发明专利]引线焊垫的制造方法

权利要求书

1.一种引线焊垫的制造方法，其特征在于，包括：

提供半导体结构，在所述半导体结构上具有第一介质层，在所述第一介质层中具有金属互连线；在所述金属互连线和第一介质层上具有第二介质层，在所述第二介质层中具有底部露出所述金属互连线的开口；

用还原性气体的等离子体对所述开口底部的金属互连线进行表面处理，以去除所述金属互连线表面的氧化物；其中，所述还原性气体的等离子体去除金属互连线表面的氧化物的过程主要是还原反应，采用还原性气体还原氧化物，并生成无污染、可去除的副产物，以避免在所述开口的侧壁形成金属或金属氧化物残渣的缺陷，也避免引起第二介质层的介电常数发生变化；

完成所述表面处理后，在所述开口中和第二介质层上形成金属层；

图形化所述金属层，形成引线焊垫。

2.如权利要求1所述的引线焊垫的制造方法，其特征在于，对所述开口底部的金属互连线进行表面处理的步骤如下：

将所述半导体结构置于腔室中；

向所述腔室中通入还原性气体，在激励源的激励下电离所述还原性气体，产生等离子体；

在所述等离子体和半导体结构之间施加偏压，等离子体中的反应离子在偏压作用下向所述半导体结构的表面运动，与所述金属互连线表面的氧化物发生还原反应。

3.如权利要求2所述的引线焊垫的制造方法，其特征在于：所述激励源为射频源或微波源。

4.如权利要求1至3任一权利要求所述的引线焊垫的制造方法，其特征在于：所述还原性气体为H₂、NH₃、CO中的一种。

5.如权利要求1至3任一权利要求所述的引线焊垫的制造方法，其特征在于：所述还原性气体为氢气，在所述氢气中还掺有氦气。

6.如权利要求1所述的引线焊垫的制造方法，其特征在于，进一步包括：在形成所述金属层之前，先在所述开口中和第二介质层上形成金属阻挡层。

7.如权利要求6所述的引线焊垫的制造方法，其特征在于：所述金属阻挡层为钛、氮化钛、钽、氮化钽、钽与氮化钽堆叠层中的一种。

8.如权利要求1所述的引线焊垫的制造方法，其特征在于：所述金属层为铝、铝铜合金、铝硅组合物、铝铜硅组合物中的一种。

9.如权利要求1所述的引线焊垫的制造方法，其特征在于：所述第一介质层为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳氧化硅、氟硅玻璃、磷硅玻璃、硼磷硅玻璃、硼硅玻璃、黑钻石中的一种；

所述第二介质层为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳氧化硅、氟硅玻璃、磷硅玻璃、硼磷硅玻璃、硼硅玻璃、黑钻石中的一种。

10.如权利要求1所述的引线焊垫的制造方法，其特征在于，进一步包括：

在所述引线焊垫和第二介质层上形成钝化层；

在所述钝化层层中形成第二开口，所述第二开口的底部露出所述引线焊垫。

11.一种引线焊垫的制造方法，其特征在于，包括：

提供半导体结构，在所述半导体结构上具有第一介质层，在所述第一介质层中具有金属互连线；

用还原性气体的等离子体对所述金属互连线进行表面处理，以去除所述金属互连线表面的氧化物；其中，所述还原性气体的等离子体去除金属互连线表面的氧化物的过程主要是还原反应，采用还原性气体还原氧化物，并生成无污染、可去除的副产物，以避免在所述开口的侧壁形成金属或金属氧化物残渣的缺陷，也避免引起第二介质层的介电常数发生变化；

在所述金属互连线上形成铝金属层；

在所述铝金属层和第一介质层上形成第二介质层；

在所述第二介质层中形成开口，所述开口的底部露出所述铝金属层；

在所述开口中和第二介质层上形成金属层；

图形化所述金属层，形成引线焊垫。

12.如权利要求11所述的引线焊垫的制造方法，其特征在于：所述还原性气体为H₂、NH₃、CO中的一种。

13.如权利要求11所述的引线焊垫的制造方法，其特征在于：所述还原性气体为氢气，在所述氢气中还掺有氦气。

14.如权利要求11所述的引线焊垫的制造方法，其特征在于，进一步包括：在形成所述金属层之前，先在所述开口中和第二介质层上形成金属阻挡层。

15.如权利要求11所述的引线焊垫的制造方法，其特征在于：所述金属层为铝、铝铜合金、铝硅组合物、铝铜硅组合物中的一种。