[发明专利]离子植入方法

权利要求书

1.一种半导体工艺中的离子注入方法，其特征在于，根据注入离子能量的高低，按照由低到高的顺序进行注入。

2.如权利要求1所述的离子注入方法，其特征在于，包括：

首先对阈值电压控制区进行离子注入；

再对通道区域进行离子注入；

最后对阱区进行离子注入。

3.如权利要求2所述的离子注入方法，其特征在于，所述注入的离子的能量为：

注入阈值电压控制区的离子＜注入通道区域的离子＜注入阱区的离子。

4.如权利要求3所述的离子注入方法，其特征在于，

所述注入阈值电压控制区的离子深度小于浅沟道隔离结构STI的深度；

所述注入通道区域的离子深度等于浅沟道隔离结构STI的深度；

所述注入阱区的离子的深度包围浅沟道隔离结构STI。

5.如权利要求4所述的离子注入方法，其特征在于，

对阈值电压控制区进行离子注入时，在硅表面形成非结晶层。

6.如权利要求5所述的离子注入方法，其特征在于，还包括

在进行离子注入之前沉积一光阻层，所述光阻层的厚度和形状根据注入到阈值电压控制区、通道区域以及阱区的离子的能量而确定。

7.如权利要求6所述的离子注入方法，其特征在于，

所述对通道区域进行离子注入的能量和浓度根据已注入的阈值电压控制区的深度和形状确定；以及

所述对阱区进行离子注入的能量和浓度根据已注入的阈值电压控制区、和通道区域的深度和形状确定。