[发明专利]一种化学机械抛光工艺中确定研磨时间的方法

权利要求书

1、一种化学机械抛光工艺中确定研磨时间的方法，该方法中所述研磨时间由自动处理系统反馈给用于化学机械抛光的设备；所述自动处理系统通过上述抛光设备最近若干批硅片的研磨参数来确定下一批硅片的研磨时间；其特征在于，该方法包括以下步骤：

A、获取最近m批硅片各自的研磨时间T(n)、T(n-1)、T(n-2)、......、T(n-m+1)，其中T(n)、T(n-1)、T(n-2)、......、T(n-m+1)为最近m批硅片各自的研磨时间，其中T(n)为第n批硅片的研磨时间、即最近一批硅片的研磨时间、即倒数第一批硅片的研磨时间，T(n-m+1)为倒数第m批硅片的研磨时间；

B、根据步骤A中所述最近m批硅片各自的研磨时间T(n)、T(n-1)、T(n-2)、......、T(n-m+1)确定下一批硅片的模糊研磨时间T1；

C、获取最近一次检测到的研磨速率Rt、最近m批硅片的平均研磨速率Rm，计算修正系数K，修正系数K在[Rt/Rm-0.3，Rt/Rm+0.3]的范围内；

D、确定下一批硅片的研磨时间T(n+1)＝T1/K；

其中，n＞m，m及n为整数。

2、如权利要求1所述确定研磨时间的方法，其特征在于，所述模糊研磨时间T1＝T(n)^＊i+T(n-1)^＊i^＊(1-i)+T(n-2)^＊i^＊(1-i)²+......+T(n-m+1)^＊i^＊(1-i)m^-1，其中，0.5≤i＜1，m≥3。

3、如权利要求1所述确定研磨时间的方法，其特征在于，步骤C中，Rt/Rm-0.2≤K≤Rt/Rm+0.2。

4、如权利要求3所述确定研磨时间的方法，其特征在于，步骤C中，Rt/Rm-0.1≤K≤Rt/Rm+0.1。

5、如权利要求4所述确定研磨时间的方法，其特征在于，步骤C中，K＝Rt/Rm。

6、如权利要求2所述确定研磨时间的方法，其特征在于，在所述关系式中，0.6≤i≤0.9。

7、如权利要求6所述确定研磨时间的方法，其特征在于，在所述关系式中，i＝0.8。

8、如权利要求1或2或3或4或5所述确定研磨时间的方法，其特征在于，在所述关系式中，5≤m≤100。

9、如权利要求8所述确定研磨时间的方法，其特征在于，在所述关系式中，15≤m≤30。

10、如权利要求9所述确定研磨时间的方法，其特征在于，在所述关系式中，m＝20。

11、一种化学机械抛光工艺中确定研磨时间的方法，该方法中所述研磨时间由自动处理系统反馈给用于化学机械抛光的设备；

所述自动处理系统通过上述抛光设备最近若干批硅片的研磨参数来确定下一批硅片的研磨时间；

所述研磨参数包括最近m批硅片各自的研磨时间T(n)、T(n-1)、T(n-2)、......、T(n-m+1)，其中T(n)为第n批硅片的研磨时间、即最近一批硅片的研磨时间、即倒数第一批硅片的研磨时间，T(n-m+1)为倒数第m批硅片的研磨时间；

其特征在于：

所述研磨参数还包括最近一次检测到的研磨速率Rt、最近m批硅片的平均研磨速率Rm；

所述下一件硅片的研磨时间T(n+1)＝[T(n)^＊i+T(n-1)^＊i^＊(1-i)+T(n-2)^＊i^＊(1-i)²+......+T(n-m+1)^＊i^＊(1-i)^m-1]/(Rt/Rm)，其中0.5≤i＜1，m≥3，n＞m，m及n为整数。