[发明专利]制作微反射镜层及硅基液晶显示器的方法

权利要求书

1.一种制作微反射镜层的方法，其特征在于，包括下列步骤：

提供依次包含金属层间介电层、缺陷微反射镜层和镜面保护层的半导体衬底，所述金属层间介电层中有贯穿金属层间介电层且露出金属层间介电层下方焊盘连接层的焊盘沟槽，缺陷微反射镜层间有第一介质层进行隔离；

在镜面保护层上形成氧化层且在焊盘沟槽内填充满氧化层；

在焊盘沟槽区域的氧化层上形成第一光刻胶层；

以第一光刻胶为掩膜，去除焊盘沟槽以外区域的氧化层；

去除镜面保护层及缺陷微反射镜层后，用灰化法去除第一光刻胶层，平坦化第一介质层和氧化层至露出金属层间介电层；

使焊盘沟槽内的氧化层与金属介电层高度一致；

在金属层间介电层及焊盘沟槽内的氧化层上形成金属层；

在金属层上形成第二光刻胶层，定义微反射镜层图形；

以第二光刻胶层为掩膜，蚀刻金属层至露出金属层间介电层，形成微反射镜层；

去除第二光刻胶层，在微反射镜层间形成第二介质层。

2.根据权利要求1所述制作微反射镜层的方法，其特征在于，所述氧化层的材料为氧化硅或氮氧化硅。

3.根据权利要求1所述制作微反射镜层的方法，其特征在于，形成氧化层的方法为化学气相沉积法或旋涂法。

4.根据权利要求1所述制作微反射镜层的方法，其特征在于，去除缺陷微反射镜层的方法为干法蚀刻法。

5.根据权利要求1所述制作微反射镜层的方法，其特征在于，平坦化第一介质层及氧化层的方法为化学机械抛光法。

6.根据权利要求1所述制作微反射镜层的方法，其特征在于，形成第一和第二光刻胶层的方法为旋涂法。

7.根据权利要求6所述制作微反射镜层的方法，其特征在于，所述第一和第二光刻胶层的厚度为1000埃～10000埃。

8.根据权利要求1所述制作微反射镜层的方法，其特征在于，形成第二介质层的方法为高密度等离子体化学气相沉积法或旋涂法。

9.一种制作硅基液晶显示器的方法，其特征在于，包括下列步骤：

在带有像素开关电路层的半导体衬底上形成光屏蔽层、与光屏蔽层隔绝的连接镜面垫层及与光屏蔽层隔绝的焊盘连接层、覆盖光屏蔽层、连接镜面垫层及焊盘连接层的金属层间介电层、缺陷微反射镜层和镜面保护层，金属层间介电层中包含贯穿金属层间介电层且露出焊盘连接层的焊盘沟槽，贯穿金属层间介电层连通连接镜面垫层及缺陷微反射镜层的导电插塞，缺陷微反射镜层间有第一介质层进行隔离；

在镜面保护层上形成氧化层且在焊盘沟槽内填充满氧化层；

在焊盘沟槽区域的氧化层上形成第一光刻胶层；

以第一光刻胶为掩膜，去除焊盘沟槽以外区域的氧化层；

去除镜面保护层及缺陷微反射镜层，用灰化法去除第一光刻胶层，平坦化第一介质层和氧化层至露出金属层间介电层；

使焊盘沟槽内的氧化层与金属介电层高度一致；

在金属层间介电层及焊盘沟槽内的氧化层上形成金属层；

在金属层上形成光刻胶层，定义微反射镜层图形；

以光刻胶层为掩膜，蚀刻金属层至露出金属层间介电层，形成通过导电插塞与连接镜面垫层连通的微反射镜层；

去除光刻胶层，在微反射镜层间形成第二介质层；

去除焊盘沟槽内的氧化层，露出焊盘连接层。

10.根据权利要求9所述制作硅基液晶显示器的方法，其特征在于，所述氧化层的材料为氧化硅或氮氧化硅。

11.根据权利要求9所述制作硅基液晶显示器的方法，其特征在于，所述形成氧化层的方法为化学气相沉积法或旋涂法。

12.根据权利要求11所述制作硅基液晶显示器的方法，其特征在于，去除氧化层的方法为干法蚀刻法。

13.根据权利要求9所述制作硅基液晶显示器的方法，其特征在于，去除缺陷微反射镜层的方法为干法蚀刻法。

14.根据权利要求9所述制作硅基液晶显示器的方法，其特征在于，平坦化第一介质层的方法为化学机械抛光法。

15.根据权利要求9所述制作硅基液晶显示器的方法，其特征在于，形成第一和第二光刻胶层的方法为旋涂法。