[发明专利]缺陷分析方法和系统

说明书

技术领域

本发明涉及晶片缺陷检测技术，特别是涉及一种晶片的机械性划伤的缺陷分析方法和系统。

背景技术

在半导体制造工艺中，各种工艺(Process)设备的机械臂(Loader Arm)在传送晶片(Wafer)的过程中可能会对晶片的晶面或晶背造成机械性划伤(Scratch)，因此，在后续的晶片缺陷检测和分析中，就需要对晶片表面(晶面或晶背)的缺陷进行分析，找出机械性划伤，确定造成该机械性划伤的工艺设备。

现有的对机械性划伤缺陷进行分析的方法如图1所示：

步骤S11，获取缺陷检测设备输出的晶片缺陷位置图(Defect Map)。缺陷检测设备是一种光学设备，可分为明场检测设备和暗场检测设备，有关缺陷检测设备的信息请参考专利号为ZL01800646.9的中国发明专利和申请号为200510063841.8的中国发明专利申请。

步骤S12，在晶片缺陷位置图中找出机械性划伤，其通常为由多个缺陷点形成的直线。

步骤S13，测量机械性划伤的宽度，即相对于晶片中心对称的两条直线间的距离。

步骤S14，将测量所得的机械性划伤的宽度与各种工艺设备的机械臂宽度进行比对，确定可能造成该机械性划伤的相关工艺设备。

然而，在晶片表面有可能包含不止一种工艺设备所造成的机械性划伤，如图2所示，晶片1的表面包含有多个缺陷点(在图中以小方框表示)，其中，机械性划伤11、12、21、22都是由多个缺陷点形成的直线，机械性划伤11、12是同一种工艺设备造成的，机械性划伤21、22是同一种工艺设备造成的。此种情况下，在测量机械性划伤宽度时，由于机械性划伤12、22的距离非常接近，有可能就会测量直线11和22之间的距离，这样测量出来的机械性划伤的宽度就会不准确，进而得到错误的分析结果。此外，在现有技术中，上述步骤S12至S14通常是通过人工完成的，这种缺陷分析过程不仅时间较长，而且分析结果受分析人员的主观因素影响较大。

发明内容

本发明解决的问题是，提供一种缺陷分析方法和系统，以增加缺陷分析的准确性和时效性。

为解决上述问题，本发明提供一种缺陷分析方法，包括：获取机械性划伤的缺陷点的坐标信息；根据所述机械性划伤的缺陷点的坐标信息，将所述机械性划伤转换为在坐标系中的直线；计算机械性划伤宽度，所述机械性划伤宽度为两倍的晶片中心到所述直线的距离。

可选的，所述缺陷分析系统还包括：比较计算所得的机械性划伤宽度和各种工艺设备的机械臂宽度，确定可能造成所述机械性划伤的工艺设备。

在本发明的一个实施例中，所述获取机械性划伤的缺陷点的坐标信息是指计算得到机械性划伤的缺陷点在以晶片中心为坐标原点的坐标系中的坐标；将所述机械性划伤转换为在坐标系中的直线是指将机械性划伤转换为以晶片中心为坐标原点的坐标系中的直线方程；计算机械性划伤宽度是根据下述公式计算机械性划伤宽度：

W＝2*C/(A²+B²)^1/2

其中，A、B、C为以晶片中心为坐标原点的坐标系中的直线方程Ax+By+C＝0中的系数。

在本发明的另一个实施例中，所述获取机械性划伤的缺陷点的坐标信息是指计算得到机械性划伤的缺陷点在缺陷检测设备所定义的坐标系中的坐标；将所述机械性划伤转换为在坐标系中的直线是指将机械性划伤转换为缺陷检测设备所定义的坐标系中的直线方程；计算机械性划伤宽度是根据下述公式计算机械性划伤宽度：

W＝2*D＝2*(Ax1+By1+C)/(A²+B²)^1/2

其中，A、B、C为缺陷检测设备所定义的坐标系中的直线方程Ax+By+C＝0中的系数，x1、y1为晶片中心在缺陷检测设备所定义的坐标系中的坐标。

为解决上述问题，本发明还提供一种缺陷分析系统，包括：获取单元，用于获取机械性划伤的缺陷点的坐标信息；转换单元，用于根据所述机械性划伤的缺陷点的坐标信息，将所述机械性划伤转换为在坐标系中的直线；计算单元，用于计算机械性划伤宽度，所述机械性划伤宽度为两倍的晶片中心到所述直线的距离。

可选的，所述缺陷分析系统还包括：分析单元，用于比较计算所得的机械性划伤宽度和各种工艺设备的机械臂宽度，确定可能造成所述机械性划伤的工艺设备。