[发明专利]建立测量程式的方法及系统、测量方法有效

专利信息
申请号: 200710046304.1 申请日: 2007-09-20
公开(公告)号: CN101393569A 公开(公告)日: 2009-03-25
发明(设计)人: 黄旭鑫 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: G06F17/50 分类号: G06F17/50
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人: 逯长明
地址: 201203*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 建立 测量 程式 方法 系统 测量方法
【权利要求书】:

1.一种建立测量程式的方法,其特征在于,包括:

提供版图,在所述版图中确定待测量图形;

通过所述版图的数据文件获得所述待测量图形的位置信息;

模拟所述待测量图形转移到半导体衬底上的图像;

将所述位置信息、模拟获得的图像输入至与测量操作命令组合相连接的数据库,生成测量程式;其中,

模拟所述待测量图形转移到半导体衬底上的图像的步骤如下:

对所述版图进行光学近似修正,获得经过光学近似修正后的图案;

将经过光学近似修正后的图案输入光刻工艺条件与光刻后形成的图形的模型中,获得所述图案转移到半导体衬底上的光敏材料层中的图像;

或者,模拟所述待测量图形转移到半导体衬底上的图像的步骤如下:

对所述版图进行光学近似修正,获得经过光学近似修正后的图案;

建立光刻工艺条件与光刻后形成的图形的模型,将经过光学近似修正后的图案输入所述模型,获得所述图案转移到半导体衬底上的光敏材料层中的图像;

或者,模拟所述待测量图形转移到半导体衬底上的图像的步骤如下:

对所述版图进行光学近似修正,获得经过光学近似修正后的图案;

建立光刻、刻蚀工艺条件与刻蚀后形成于半导体衬底上的图形的模型,将经过光学近似修正后的图案输入所述模型,获得所述图案转移到半导体衬底上的图像。

2.如权利要求1所述的建立测量程式的方法,其特征在于:所述光学近似修正为基于模型的光学近似修正和/或基于规则的光学近似修正。

3.如权利要求1所述的建立测量程式的方法,其特征在于:所述数据文件为GDS或GDS II文件。

4.如权利要求1所述的建立测量程式的方法,其特征在于:所述待测量图形包括测试图形。

5.如权利要求1所述的建立测量程式的方法,其特征在于,该方法进一步包括:将所述测量程式输入至测量设备。

6.如权利要求5所述的建立测量程式的方法,其特征在于:所述测量设备为线宽测量设备或套刻测量设备。

7.一种测量方法,其特征在于,包括:

提供包含有待测量图形的版图;

通过所述版图的数据文件获得所述待测量图形的位置信息;

模拟所述待测量图形转移到半导体衬底上的图像;

将所述位置信息、模拟获得的图像输入至与测量操作命令组合相连接的数据库,生成测量程式;

将所述测量程式输入至测量设备;

将形成有待测量图形的半导体衬底置于所述测量设备,执行所述测量程式,对所述半导体衬底上的待测量图形进行测量;其中,

模拟所述待测量图形转移到半导体衬底上的图像的步骤如下:

对所述版图进行光学近似修正,获得经过光学近似修正后的图案;

将经过光学近似修正后的图案输入光刻工艺条件与光刻后形成的图形的模型中,获得所述图案转移到半导体衬底的光敏材料中的图像;

或者,模拟所述待测量图形转移到半导体衬底上的图像的步骤如下:

对所述版图进行光学近似修正,获得经过光学近似修正后的图案;

建立光刻工艺条件与光刻后形成的图形的模型,将所述经过光学近似修正后的图案输入所述模型,获得所述图案转移到半导体衬底的光敏材料中的图像;

或者,模拟所述待测量图形转移到半导体衬底上的图像的步骤如下:

对所述版图进行光学近似修正,获得经过光学近似修正后的图案;

建立光刻、刻蚀工艺条件与刻蚀后形成于半导体衬底上的图形的模型,将经过光学近似修正后的图案输入所述模型,获得所述图案转移到半导体衬底上的图形的图像。

8.如权利要求7所述的测量方法,其特征在于:所述光学近似修正为基于模型的光学近似修正和/或基于规则的光学近似修正。

9.如权利要求7所述的测量方法,其特征在于:所述待测量图形包括测试图形。

10.如权利要求7所述的测量方法,其特征在于:所述测量设备为线宽测量设备或套刻测量设备。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710046304.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top