[发明专利]建立测量程式的方法及系统、测量方法有效
申请号: | 200710046304.1 | 申请日: | 2007-09-20 |
公开(公告)号: | CN101393569A | 公开(公告)日: | 2009-03-25 |
发明(设计)人: | 黄旭鑫 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | G06F17/50 | 分类号: | G06F17/50 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 逯长明 |
地址: | 201203*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 建立 测量 程式 方法 系统 测量方法 | ||
1.一种建立测量程式的方法,其特征在于,包括:
提供版图,在所述版图中确定待测量图形;
通过所述版图的数据文件获得所述待测量图形的位置信息;
模拟所述待测量图形转移到半导体衬底上的图像;
将所述位置信息、模拟获得的图像输入至与测量操作命令组合相连接的数据库,生成测量程式;其中,
模拟所述待测量图形转移到半导体衬底上的图像的步骤如下:
对所述版图进行光学近似修正,获得经过光学近似修正后的图案;
将经过光学近似修正后的图案输入光刻工艺条件与光刻后形成的图形的模型中,获得所述图案转移到半导体衬底上的光敏材料层中的图像;
或者,模拟所述待测量图形转移到半导体衬底上的图像的步骤如下:
对所述版图进行光学近似修正,获得经过光学近似修正后的图案;
建立光刻工艺条件与光刻后形成的图形的模型,将经过光学近似修正后的图案输入所述模型,获得所述图案转移到半导体衬底上的光敏材料层中的图像;
或者,模拟所述待测量图形转移到半导体衬底上的图像的步骤如下:
对所述版图进行光学近似修正,获得经过光学近似修正后的图案;
建立光刻、刻蚀工艺条件与刻蚀后形成于半导体衬底上的图形的模型,将经过光学近似修正后的图案输入所述模型,获得所述图案转移到半导体衬底上的图像。
2.如权利要求1所述的建立测量程式的方法,其特征在于:所述光学近似修正为基于模型的光学近似修正和/或基于规则的光学近似修正。
3.如权利要求1所述的建立测量程式的方法,其特征在于:所述数据文件为GDS或GDS II文件。
4.如权利要求1所述的建立测量程式的方法,其特征在于:所述待测量图形包括测试图形。
5.如权利要求1所述的建立测量程式的方法,其特征在于,该方法进一步包括:将所述测量程式输入至测量设备。
6.如权利要求5所述的建立测量程式的方法,其特征在于:所述测量设备为线宽测量设备或套刻测量设备。
7.一种测量方法,其特征在于,包括:
提供包含有待测量图形的版图;
通过所述版图的数据文件获得所述待测量图形的位置信息;
模拟所述待测量图形转移到半导体衬底上的图像;
将所述位置信息、模拟获得的图像输入至与测量操作命令组合相连接的数据库,生成测量程式;
将所述测量程式输入至测量设备;
将形成有待测量图形的半导体衬底置于所述测量设备,执行所述测量程式,对所述半导体衬底上的待测量图形进行测量;其中,
模拟所述待测量图形转移到半导体衬底上的图像的步骤如下:
对所述版图进行光学近似修正,获得经过光学近似修正后的图案;
将经过光学近似修正后的图案输入光刻工艺条件与光刻后形成的图形的模型中,获得所述图案转移到半导体衬底的光敏材料中的图像;
或者,模拟所述待测量图形转移到半导体衬底上的图像的步骤如下:
对所述版图进行光学近似修正,获得经过光学近似修正后的图案;
建立光刻工艺条件与光刻后形成的图形的模型,将所述经过光学近似修正后的图案输入所述模型,获得所述图案转移到半导体衬底的光敏材料中的图像;
或者,模拟所述待测量图形转移到半导体衬底上的图像的步骤如下:
对所述版图进行光学近似修正,获得经过光学近似修正后的图案;
建立光刻、刻蚀工艺条件与刻蚀后形成于半导体衬底上的图形的模型,将经过光学近似修正后的图案输入所述模型,获得所述图案转移到半导体衬底上的图形的图像。
8.如权利要求7所述的测量方法,其特征在于:所述光学近似修正为基于模型的光学近似修正和/或基于规则的光学近似修正。
9.如权利要求7所述的测量方法,其特征在于:所述待测量图形包括测试图形。
10.如权利要求7所述的测量方法,其特征在于:所述测量设备为线宽测量设备或套刻测量设备。
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