[发明专利]电极被覆用无铅玻璃粉及其制备方法

说明书

技术领域

本发明属无铅玻璃粉及制备领域，特别是涉及一种电极被覆用无铅玻璃粉及其制备方法。

背景技术

对于电极被覆用玻璃粉，要求具备以下特性，软化点在450～660之间，在室温到300℃的线膨胀系数为55～85×10^-7/℃左右，还要有较高的电绝缘性，介电常数低等。现有的满足电极被覆要求的低熔点玻璃粉大多含有大量的铅(Pb)，Pb的大量使用不仅加剧了铅资源的开采和对环境、人体的危害，而且无铅化是电子产品产业发展的法规要求。中国、欧美、日本等已颁布自2006年7月1日起电子产品中不得含有铅、汞、镉、六价铬、聚合溴化联苯(PBB)、聚合溴化联苯乙醚(PBDE)及其它有毒有害物质的含量的法规，率先开发出具有广泛应用前景的不含电子产品禁用元素的低熔玻璃将形成技术或标准壁垒。

同时，现有的满足电极被覆要求的低熔玻璃具有低膨胀系数的较少，不能满足部分低膨胀系数领域的应用。现在所用的低膨胀系数的低熔玻璃一般都采用添加低膨胀耐火填料的方法降低膨胀系数，常用的有β-锂霞石(-86×10^-7/℃)、钛酸铅(-53×10^-7/℃)、堇青石(10-20×10^-7/℃)、锆英石(42×10^-7/℃)等，以上的膨胀系数均为理论值，其实际所能降低膨胀系数的能力是有限的，另外一种填料钛酸铅钙(PbCaTiO₃)的负膨胀能力很强，但其含有铅，不能满足无铅化的要求，而且加入填料对封接的气密性不利、容易漏气、寿命短。

作为平面显示装置的显示平面所使用的在玻璃基板表面形成的透明电极，为了实现精细的图像控制而被加工成细线状，从而独立的控制每个像素，因此就要保证这么多精细加工的各个透明电极之间的绝缘性，从而需要一种电极被覆的玻璃粉，可以防止玻璃基板的表面通过的少许的电流，防止透明电极间形成的电流引起图像质量的低下。

日立制作所特开平2-267137公布了一种氧化钒(V₂O₅)系封接玻璃，封接温度小于400℃，热膨胀系数90×10^-7/℃以下，但这种玻璃中，氧化铅是必要组分，不能满足无铅化的要求，同时，还含有剧毒铊的氧化物。

美国专利第P5153151号公布了一种磷酸盐封接玻璃，其摩尔组成为Li₂O 0～15％、Na₂O0～20％、K₂O 0～10％、ZnO 0～45％、Ag₂O 0～25％、Tl₂O 0～25％、PbO 0～20％、CuO 0～5％、CaO 0～20％、SrO 0～20％、P₂O₅ 24～36％、Al₂O₃ 0～5％、CeO₂ 0～2％、BaO 0～20％、SnO 0～5％、Sb₂O₃ 0～61％、Bi₂O₃ 0～10％、B₂O₃ 0～10％，该玻璃的转变温度为300～340℃，热膨胀系数为135～180×10^-7/℃，该玻璃的缺点在于Tl₂O的毒性很大，同时，玻璃的热膨胀系数较大，不能用于中、低膨胀系数的封接。

发明内容

本发明的目的是提供一种电极被覆用无铅玻璃粉及其制备方法，该玻璃粉可视光透过率高、介电常数低，而且制备工艺简单，可用于等离子面板前基板的电极被覆。

本发明的一种电极被覆用无铅玻璃粉，按重量百分比组成的组分为Bi₂O₃ 50～70％、B₂O₃ 10～30％、Al₂O₃ 0～10％、ZnO 0～40％、SiO₂ 0～10％、MgO 0～15％、Li₂O 0～3％，优选Bi₂O₃ 60～70％、B₂O₃ 15～25％、Al₂O₃ 3～5％、ZnO 10～20％、SiO₂ 3～5％、MgO 3～10％、Li₂O 0～2％。