[发明专利]基于ITO玻璃基底的细胞培养芯片的制备方法及其应用

权利要求书

1.一种基于ITO玻璃基底的细胞培养芯片的制备方法，包括步骤：

以氧化铟锡ITO玻璃为细胞培养芯片的基质材料；以ITO玻璃未溅射ITO薄膜的一侧甩涂AZ4620光刻胶作为玻璃腐蚀的掩模层，根据设计的掩膜版进行曝光、显影；将聚二甲基硅氧烷PDMS单体、固化剂按比例均匀混合，浇注在ITO薄膜一侧，加热固化；将ITO玻璃置于腐蚀液中，刻蚀得微管道和“坝型”结构；剥离ITO薄膜上的PDMS；将PDMS单体、固化剂按比例均匀混合后，平铺在载玻片上加热固化得PDMS薄膜；将PDMS薄膜和已刻蚀微管道的ITO玻璃一侧在氧等离子体作用下键合得到细胞培养芯片；再在ITO玻璃未键合PDMS薄膜的一侧通过黏附金属导线连入外部温度控制系统。

2.根据权利要求1所述的基于ITO玻璃基底的细胞培养芯片的制备方法，其特征在于：所述的微管道分两个区域，其中一个区域为细胞培养区域，另外一个区域为培养液进样区域，两个区域通过“坝型”结构连接。

3.根据权利要求1或2所述的基于ITO玻璃基底的细胞培养芯片的制备方法，其特征在于：所述的“坝型”结构高度小于微管道深度。

4.根据权利要求1所述的基于ITO玻璃基底的细胞培养芯片的制备方法，其特征在于：所述的腐蚀液是Buffered Oxide Etch。

5.根据权利要求1所述的基于ITO玻璃基底的细胞培养芯片的制备方法，其特征在于：所述的PDMS单体与固化剂的重量混合比为10∶1。

6.根据权利要求1所述的基于ITO玻璃基底的细胞培养芯片的制备方法，其特征在于：所述的加热固化是80℃加热固化1小时。

7.根据权利要求1所述的基于ITO玻璃基底的细胞培养芯片的制备方法，其特征在于：所述的黏附金属导线是通过导电胶将金属导线黏附在ITO薄膜上。

8.根据权利要求1所述的基于ITO玻璃基底的细胞培养芯片的制备方法，其特征在于：所述的外部温度控制系统，其温度控制对象为芯片微管道内液体的温度，其温度传感器为Pt1000温敏电阻，其加热方法为ITO薄膜导电发热的直接加热方式，其控制中心为ADμC812单片机。

9.一种基于ITO玻璃基底的细胞培养芯片的应用在细胞迁移、细胞分化、细胞之间相互作用研究。

10.根据权利要求10所述的基于ITO玻璃基底的细胞培养芯片的应用，其特征在于：所述的细胞是动物细胞或植物细胞。

11.根据权利要求10所述的基于ITO玻璃基底的细胞培养芯片的应用，其特征在于：所述的细胞是正常体细胞或肿瘤细胞。

12.根据权利要求10、11或12所述的基于ITO玻璃基底的细胞培养芯片的应用，其特征在于：所述细胞的培养中使用的培养液添加Leibovitz’s L-15培养基。