[发明专利]监测晶圆击穿电压稳定性的方法

权利要求书

1.一种监测晶圆击穿电压稳定性的方法，其特征在于，包括以下步骤：

建立一监控系统，该监控系统包括一高频射频反射能量-击穿电压对应关系表，以及一击穿电压规范表，该规范表包括至少一控制阈值；

以一高频射频系统对密室制程中的晶圆发射高频射频信号，并接收其反射能量；

将高频射频反射能量导出至该监控系统中，并根据该高频射频反射能量值和该对应关系表计算击穿电压值；以及

比较该击穿电压值与该规范表的控制阈值。

2.如权利要求1所述的监测晶圆击穿电压稳定性的方法，其特征在于，当高频射频反射能量大于90W，该对应关系表中的高频射频反射能量和击穿电压符合：

VBD＝A-K*Ref，

其中VBD为击穿电压值，Ref为高频射频反射能量值，A为幅度系数，K为比例系数，且A＝381.81244，K＝2.97790。

3.如权利要求1所述的监测晶圆击穿电压稳定性的方法，其特征在于，当该击穿电压值低于该控制阈值时，监控系统发出警告信号。

4.如权利要求1所述的监测晶圆击穿电压稳定性的方法，其特征在于，该控制阈值对应至少一调整操作，当该击穿电压值低于该控制阈值时，执行该控制阈值所对应的调整操作。

5.一种监测晶圆击穿电压稳定性的方法，其特征在于，包括以下步骤：

根据一高频射频反射能量-击穿电压对应关系表和一击穿电压规范表建立一高频射频反射能量规范表；

建立一监控系统，该监控系统包括该高频射频反射能量规范表，该高频射频反射能量规范表包括至少一控制阈值；

以一高频射频系统对晶圆发射高频射频信号，并接收其反射能量；

将高频射频反射能量导出至该监控系统中；以及

比较该高频射频反射能量值与该高频射频反射能量规范表中的控制阈值。

6.如权利要求5所述的监测晶圆击穿电压稳定性的方法，其特征在于，当高频射频反射能量大于90W，该高频射频反射能量-击穿电压对应关系表中，高频射频反射能量与击穿电压符合：

Ref＝(A-VBD)/K

其中Ref为高频射频反射能量值，VBD为击穿电压值，A为幅度系数，K为比例系数，且A＝381.81244，K＝2.97790。

7.如权利要求5所述的监测晶圆击穿电压稳定性的方法，其特征在于，当该高频射频反射能量值低于该控制阈值时，监控系统发出警告信号。

8.如权利要求5所述的监测晶圆击穿电压稳定性的方法，其特征在于，该控制阈值对应至少一调整操作，当该高频射频反射能量值低于该控制阈值时，执行该控制阈值所对应的调整操作。