[发明专利]一种光电式清纱检测方法及其装置

权利要求书

1.一种光电式清纱检测方法，其特征在于，利用紫外光源照射纱线，将由此产生的光信号经过一个反射屏面反射回来，反射回来的光信号被紫外增强型探测器接收后输出给信号处理系统，然后信号处理系统对输入的微电流信号经过放大、滤波、整形和比较处理，最后输出检测信号。

2.根据权利要求1所述的光电式清纱检测方法，其特征在于，所述反射回来的光信号为异质纱线被紫外光激发后产生的没有被探测器直接接收的部分荧光信号或同质异色纱线对紫外光产生的不同反射光。

3.根据权利要求2所述的光电式清纱检测方法，其特征在于，所述异质纱线为丙纶丝、涤纶丝或尼龙丝。

4.一种实现权利要求1所述的光电式清纱检测方法的检测装置，包括外壳支架、发光管和探测器，其特征在于：

A)所述发光管和探测器组成一探测屏面，在与此屏面相向平行设置有一个由反光镜组成的反射屏面，所述探测屏面和反射屏面均设置在外壳支架的内表面上，两屏面间的间隙为纱线检测通道；

B)所述发光管为紫外发光二极管；

C)所述探测器为紫外增强型硅光电二极管。

5.根据权利要求4所述的检测装置，其特征在于，在所述探测屏面上设置有一个滤光片。

6.根据权利要求5所述的检测装置，其特征在于，所述滤光片的透过光波波长为400nm±70nm。

7.根据权利要求4所述的检测装置，其特征在于，所述发光管位于探测器两侧且两侧发光管分布位置对称。

8.根据权利要求4所述的检测装置，其特征在于，所述发光管的个数为2～8个，每侧各1～4个。

9.根据权利要求4所述的检测装置，其特征在于，所述紫外发光二极管的发光波长在340～405nm范围内。

10.根据权利要求4所述的检测装置，其特征在于，所述紫外增强型硅光电二极管的暗电流为10^-10安培，从190nm开始响应。