[发明专利]非平面表面金属微细图形化的方法有效
| 申请号: | 200710045107.8 | 申请日: | 2007-08-21 |
| 公开(公告)号: | CN101110355A | 公开(公告)日: | 2008-01-23 |
| 发明(设计)人: | 李刚;周洪波;孙晓娜;姚源;赵建龙 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/321;H01L21/28;H01L21/768;B81C1/00 |
| 代理公司: | 上海光华专利事务所 | 代理人: | 余明伟 |
| 地址: | 200050*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 平面 表面 金属 微细 图形 方法 | ||
1.一种非平面表面金属微细图形化的方法,其特征在于包括步骤:
1)在一含有非平面结构的基片表面形成上下两金属牺牲层,其中,下层金属牺牲层覆盖所述基片的整个待金属化表面,且使其标准电极电势高于上层金属牺牲层的标准电极电势;
2)通过旋涂光刻胶、曝光、显影及湿法腐蚀以形成图形化上层金属牺牲层,并使所述图形化上层金属牺牲层仅覆盖所述基片的待金属化非平面结构的表面;
3)在所述上层金属牺牲层上通过旋涂聚合物、曝光及显影以形成聚合层;
4)在所述聚合层上旋涂光刻胶、曝光及显影以形成剥离工艺中的图形化光刻胶层;
5)采用电化学阳极腐蚀所述上层金属牺牲层以去除附在其上的残余光刻胶;
6)去除所述下层金属牺牲层,并在形成有图形化光刻胶层的表面沉积一金属层,并采用剥离工艺去除所述图形化光刻胶层以形成相应的图形化金属层。
2.如权利要求1所述的非平面表面金属微细图形化的方法,其特征在于:所述步骤6)进一步包括步骤:
(1)采用湿法刻蚀去除所述下层金属牺牲层;
(2)在形成有图形化光刻胶层的表面沉积一金属层:
(3)采用剥离工艺去除已沉积有金属的图形化光刻胶层。
3.如权利要求1所述的非平面表面金属微细图形化的方法,其特征在于:所述步骤6)进一步包括步骤:
(1)在形成有图形化光刻胶层的表面沉积一金属层:
(2)采用剥离工艺去除已沉积有金属的图形化光刻胶层;
(3)以所述基片为模具在去除了所述图形化光刻胶层的表面浇注聚合物,并使其固化;
(4)采用湿法或电化学腐蚀法去除所述下层金属牺牲层以形成反转的非平面结构表面金属图形化。
4.如权利要求1所述的非平面表面金属微细图形化的方法,其特征在于:所述下层金属牺牲层材料为金、铜、镍、铬及钛中的一种。
5.如权利要求4所述的非平面表面金属微细图形化的方法,其特征在于:所述上层金属牺牲层材料能根据所述下层金属牺牲层的材料在铜、镍、铬、钛及铝中予以选择。
6.如权利要求1所述的非平面表面金属微细图形化的方法,其特征在于:所述聚合物为聚酰亚胺、聚对二甲苯及聚二甲基硅氧烷中的一种。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





