[发明专利]自对准硅化物膜制程及结构无效
| 申请号： | 200710045077.0 | 申请日： | 2007-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN101373716A | 公开（公告）日： | 2009-02-25 |
| 发明（设计）人： | 孙昌;王艳生;廖奇泊;王蕾;郭君 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/31 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陆嘉 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 对准 硅化物膜制程 结构 | ||
1.一种自对准硅化物SAB制程，用于制作需要使用非自对准硅化物器件的制程中，该SAB制程包括：
沉积SAB膜，该SAB膜为ONO结构；
对SAB膜进行光刻；
进行非自对准硅化物器件的制作；
对SAB膜进行干法刻蚀，其中该干法刻蚀过程为端点控制过程；
对SAB膜进行湿法刻蚀。
2.如权利要求1所述的SAB制程，其特征在于，
所述ONO结构包括依次叠加的第一SiO2层、SiON层和第二SiO2层。
3.如权利要求2所述的SAB制程，其特征在于，
该干法刻蚀过程的端点为SiON层和第二SiO2层的分界面。
4.如权利要求3所述的SAB制程，其特征在于，
该干法刻蚀过程的端点由光反射性能参数确定。
5.如权利要求1-4中任一项所述的SAB制程，其特征在于，所述干法刻蚀过程包括：
使用第一刻蚀气体刻蚀第一SiO2层；
检测第一SiO2层和SiON层的分界面，切换第二刻蚀气体；
使用第二刻蚀气体刻蚀第二SiON层。
6.如权利要求5所述的SAB制程，其特征在于，
所述检测第一SiO2层和SiON层的分界面通过光反射性能参数确定。
7.一种自对准硅化物SAB膜结构，其中，该SAB膜为ONO结构。
8.如权利要求7所述的SAB膜结构，其特征在于，
所述ONO结构包括依次叠加的第一SiO2层、SiON层和第二SiO2层。
9.如权利要求8所述的SAB膜结构，其特征在于，
该第一SiO2层和SiON层具有不同光反射性能参数；以及
该SiON层和第二SiO2层具有不同光反射性能参数。
10.如权利要求9所述的SAB膜结构，其特征在于，
该SiON层为无机抗反射镀膜DARC。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
