[发明专利]一种优化曝光装置监控的方法有效
申请号: | 200710045042.7 | 申请日: | 2007-08-20 |
公开(公告)号: | CN101373336A | 公开(公告)日: | 2009-02-25 |
发明(设计)人: | 李碧峰;苏丰;易旭东;仲伟 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;H01L21/027 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人: | 屈蘅 |
地址: | 2012*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 优化 曝光 装置 监控 方法 | ||
1.一种优化曝光装置监控的方法,该方法融合了对曝光装置特征尺寸均匀度和聚焦稳定性监控,其特征在于:把晶片分成两部分,一部分以特征尺寸均匀度的方法进行曝光,用以监控特征尺寸均匀度,另一部分以变焦距特征尺寸分析法进行曝光,用以监测聚焦稳定性,最后同时读取这两部分特征尺寸数据,进行并行处理与分析。
2.如权利要求1所述一种优化曝光装置监控的方法,其特征在于:所述特征尺寸均匀度方法是分别以相同的能量和焦距曝光一系列相同特征尺寸的图案。
3.如权利要求1所述一种优化曝光装置监控的方法,其特征在于:所述变焦距特征尺寸分析法是分别以相同的能量,不同的焦距,曝光一系列渐变特征尺寸的图案。
4.如权利要求1所述一种优化曝光装置监控的方法,其特征在于:所述把晶片分成两部分,用于监测特征尺寸均匀度晶片部分占晶片总面积的绝大部分,而用于监测聚焦稳定性晶片部分应位于靠近晶片中心的区域,且不超过晶片所曝的格子中的两个格子。
5.如权利要求4所述一种优化曝光装置监控的方法,其特征在于:所述用于监测聚焦稳定性晶片部分,为保证与传统的用于测试聚焦稳定性的整片晶片一样具有较大的变焦测试范围,需进一步细分给定的晶片区域。
6.如权利要求1所述一种优化曝光装置监控的方法,其特征在于:所述并行分析与处理是采用excel宏定义程序进行并行分析与处理。
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