[发明专利]晶圆背面研磨方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制程，特别是涉及一种晶圆背面研磨方法。

背景技术

随着半导体封装组件的薄型化趋势，封装组件内的半导体晶片也需要符合更薄的厚度，因此，在晶圆上集成电路制作制程之后和晶圆切割制程之前，还包括有晶圆背面研磨制程，以使得晶圆上多个晶片能一次完成薄化处理。

现有技术的晶圆背面研磨制程中，如申请号为03150009.9的中国专利申请所述，在晶圆背面研磨前需要在晶圆的形成有集成电路的正面贴附保护胶带，以保护正面不会被磨损，在晶圆背面研磨完成后再去除保护胶带。一种晶圆背面研磨方法具体如图1所示，包括下述步骤：

步骤S11，提供晶圆，所述晶圆具有形成有集成电路的正面和对应于所述正面的背面。

步骤S12，在所述晶圆的正面贴附一层保护胶带。

步骤S13，计算研磨厚度。

步骤S14，将所述晶圆装载于研磨装置，使所述晶圆的背面显露。

步骤S15，根据计算所得的研磨厚度，控制研磨装置研磨所述晶圆的背面。

上述晶圆背面研磨方法中，所需计算的研磨厚度是保护胶带厚度与预定的晶圆厚度之和，预定的晶圆厚度是指晶圆最终需要薄化到的厚度。通常，研磨装置受其性能限制都具有最小研磨厚度限制，最小研磨厚度限制是指研磨装置能使贴附有保护胶带的晶圆薄化到的最小厚度。若计算所得的研磨厚度不小于研磨装置的最小研磨厚度限制，则可以控制研磨装置研磨所述晶圆的背面直至达到计算的研磨厚度，因此，去除保护胶带的晶圆厚度即能达到最终需要薄化到的厚度。但是，若计算所得的研磨厚度小于研磨装置的最小研磨厚度限制，则使用该研磨装置将所述晶圆研磨得更薄会很容易造成晶圆的破损，因为研磨装置的稳定性降低了。

举例来说，研磨装置的最小研磨厚度限制是400微米(μm)，保护胶带的厚度是130μm，晶圆最终需要薄化到的厚度是11密尔(mil，1mil＝25.4μm)，计算所得的研磨厚度约为410μm(130μm+11*25.4μm)，大于该研磨装置的最小研磨厚度限制即400μm，因此使用该研磨装置可以将晶圆研磨至11mil。但是，如果需要将晶圆研磨至8mil，计算所得的研磨厚度约为333μm(130μm+8*25.4μm)，其小于该研磨装置的最小研磨厚度限制即400μm，因此，在这种情况下，就需要更换性能更好的研磨装置，例如最小研磨厚度限制是300μm的研磨装置，因为原来的研磨装置只能确保将晶圆研磨至11mil，如果继续将晶圆研磨得更薄(例如8mil)，研磨装置的稳定性降低，势必会增加晶圆的破损率(broken rate)，而更换性能更好的研磨装置就意味着增加更高的研磨制程成本。

发明内容

本发明解决的问题是，提供一种晶圆背面研磨方法，其可以使研磨装置将晶圆研磨得更薄，同时却不会增加晶圆的破损率。

为解决上述问题，本发明提供一种晶圆背面研磨方法，包括下述步骤：

提供晶圆，所述晶圆具有形成有集成电路的正面和对应于所述正面的背面；

贴附保护胶带于所述晶圆的正面，所述保护胶带的厚度大于等于研磨装置的最小研磨厚度限制与预定的晶圆厚度之差；

计算研磨厚度，所述的研磨厚度是贴附于晶圆正面的保护胶带的厚度与预定的晶圆厚度之和；

将所述晶圆装载于研磨装置，使所述晶圆的背面显露；

根据计算所得的研磨厚度，研磨所述晶圆的背面。

在本发明的一个实施方式，所述贴附保护胶带于所述晶圆的正面是贴附二层保护胶带于所述晶圆的正面。其中，所述研磨装置的最小研磨厚度限制是400微米，所述预定的晶圆厚度是6至10密尔，所述保护胶带的各层厚度是130至160微米。

在本发明的另一个实施方式，所述贴附保护胶带于所述晶圆的正面是贴附一层保护胶带于所述晶圆的正面。其中，所述研磨装置的最小研磨厚度限制是400微米，所述预定的晶圆厚度是6至10密尔，所述保护胶带的一层厚度是280微米。

在本发明的又一个实施方式，所述贴附保护胶带于所述晶圆的正面是贴附三层保护胶带于所述晶圆的正面。其中，所述研磨装置的最小研磨厚度限制是400微米，所述预定的晶圆厚度是6至10密尔，所述保护胶带的各层厚度是90微米。

可选的，所述研磨装置研磨晶圆的背面包括粗研磨和细研磨。

可选的，所述晶圆背面研磨方法还包括在研磨装置研磨所述晶圆的背面的步骤后，将所述晶圆从研磨装置取出，和去除所述晶圆正面的保护胶带。