[发明专利]改善绝缘介电层缺陷及形成双镶嵌结构的方法

权利要求书

1.一种改善绝缘介电层缺陷的方法，其特征在于，包括下列步骤：

提供带有缺陷的第一绝缘介电层的半导体衬底；

通过去除部分厚度的第一绝缘介电层去除缺陷，第一绝缘介电层的剩余厚度小于目标厚度；

研磨第一绝缘介电层；

沉积第二绝缘介电层，与研磨后的第一绝缘介电层组合达到目标厚度。

2.根据权利要求1所述改善绝缘介电层缺陷的方法，其特征在于：去除第一绝缘介电层的缺陷的方法为过蚀刻。

3.根据权利要求2所述改善绝缘介电层缺陷的方法，其特征在于：所述过蚀刻进一步包括：

在控片上沉积一层控片绝缘介电层，材料与第一绝缘介电层一致；

对控片绝缘介电层进行蚀刻至露出控片；

将控片绝缘介电层的厚度除以蚀刻时间，得出蚀刻速率；

采用相同蚀刻方法蚀刻第一绝缘介电层；

蚀刻第一绝缘介电层时间大于第一绝缘介电层初始厚度与目标厚度的厚度差除以蚀刻速率，小于等于第一绝缘介电层初始厚度除以蚀刻速率。

4.根据权利要求3所述改善绝缘介电层缺陷的方法，其特征在于：所述过蚀刻是干法蚀刻法。

5.根据权利要求2所述改善绝缘介电层缺陷的方法，其特征在于：所述研磨第一绝缘介电层的方法为化学机械研磨法。

6.根据权利要求5所述改善绝缘介电层缺陷的方法，其特征在于：沉积第二绝缘介电层的方法为化学气相沉积或物理气相沉积。

7.根据权利要求1至6任一项所述改善绝缘介电层缺陷的方法，其特征在于：所述第一绝缘介电层和第二绝缘介电层的材料为氟硅玻璃。

8.一种形成双镶嵌结构的方法，其特征在于，包括下列步骤：

在半导体衬底上依次形成金属互连层、蚀刻停止层和第一绝缘介电层，所述第一绝缘介电层带有缺陷；

通过去除部分厚度的第一绝缘介电层去除缺陷，第一绝缘介电层的剩余厚度小于目标厚度；

研磨第一绝缘介电层；

沉积第二绝缘介电层，与研磨后的第一绝缘介电层组合达到目标厚度；

在第一绝缘介电层和第二绝缘介电层中形成接触孔和沟槽，所述接触孔与蚀刻停止层连通，沟槽与接触孔连通；

在沟槽与接触孔内填充满导电物质。

9.根据权利要求8所述形成双镶嵌结构的方法，其特征在于：去除第一绝缘介电层的缺陷的方法为过蚀刻。

10.根据权利要求9所述形成双镶嵌结构的方法，其特征在于：所述过蚀刻进一步包括：

在控片上沉积一层控片绝缘介电层，材料与第一绝缘介电层一致；

对控片绝缘介电层进行蚀刻至露出控片；

将控片绝缘介电层的厚度除以蚀刻时间，得出蚀刻速率；

采用相同蚀刻方法蚀刻第一绝缘介电层；

蚀刻第一绝缘介电层时间大于第一绝缘介电层初始厚度与目标厚度的厚度差除以蚀刻速率，小于等于第一绝缘介电层初始厚度除以蚀刻速率。

11.根据权利要求10所述形成双镶嵌结构的方法，其特征在于：所述过蚀刻是干法蚀刻法。

12.根据权利要求9所述形成双镶嵌结构的方法，其特征在于：所述研磨第一绝缘介电层的方法为化学机械研磨法。

13.根据权利要求12所述形成双镶嵌结构的方法，其特征在于：沉积第二绝缘介电层的方法为化学气相沉积或物理气相沉积。

14.根据权利要求8至13任一项所述形成双镶嵌结构的方法，其特征在于：所述第一缘介电层和第二绝缘介电层的材料为氟硅玻璃。