[发明专利]介质层形成方法和金属层平整化方法无效
| 申请号： | 200710044810.7 | 申请日： | 2007-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN101364566A | 公开（公告）日： | 2009-02-11 |
| 发明（设计）人： | 蓝受龙;易义军;高莺 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/321 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 介质 形成 方法 金属 平整 | ||
1.一种介质层形成方法，其特征在于，包括：
提供半导体基底；
形成覆盖所述半导体基底的金属层；
对形成金属层后的半导体基底执行热处理操作；
形成介质层，所述介质层覆盖热处理后的金属层和半导体基底。
2.根据权利要求1所述的介质层形成方法，其特征在于：所述金属层材料可为铜、铝或铝铜合金。
3.根据权利要求1或2所述的介质层形成方法，其特征在于：所述热处理操作的温度范围为350～450摄氏度。
4.根据权利要求1或2所述的介质层形成方法，其特征在于：所述热处理操作的持续时间为20～120秒。
5.根据权利要求1或2所述的介质层形成方法，其特征在于：所述热处理操作选用的气体为氮气、氦气或氩气中的一种或其组合。
6.根据权利要求1或2所述的介质层形成方法，其特征在于：所述热处理操作选用的气体的流量范围为2000～20000sccm。
7.一种金属层平整化方法，其特征在于，包括：
提供半导体基底；
形成覆盖所述半导体基底的金属层；
平整化所述金属层；
对已形成金属层的所述半导体基底执行热处理操作。
8.根据权利要求7所述的金属层平整化方法，其特征在于：采用化学机械研磨工艺执行平整化所述金属层的操作。
9.根据权利要求7所述的金属层平整化方法，其特征在于：所述金属层材料可为铜、铝或铝铜合金。
10.根据权利要求7或9所述的金属层平整化方法，其特征在于：所述热处理操作的温度范围为350～450摄氏度。
11.根据权利要求7或9所述的金属层平整化方法，其特征在于：所述热处理操作的持续时间为20～120秒。
12.根据权利要求7或9所述的金属层平整化方法，其特征在于：所述热处理操作选用的气体为氮气、氦气或氩气中的一种或其组合。
13.根据权利要求7或9所述的金属层平整化方法，其特征在于：所述热处理操作选用的气体的流量范围为2000～20000sccm。
14.一种介质层形成方法，其特征在于，包括：
提供半导体基体；
形成覆盖所述半导体基体的金属层；
图形化所述金属层；
对形成图形化的金属层后的半导体基体执行热处理操作；
形成介质层，所述介质层覆盖热处理后的金属层和半导体基体。
15.根据权利要求14所述的介质层形成方法，其特征在于：所述金属层材料为铝或铝铜合金。
16.根据权利要求14所述的介质层形成方法，其特征在于：形成所述金属层的步骤包括：
形成填充所述半导体基体内通孔的第一金属层；
形成覆盖所述半导体基体及所述第一金属层的第二金属层。
17.根据权利要求16所述的介质层形成方法，其特征在于：所述第一金属层材料为钨。
18.根据权利要求16所述的介质层形成方法，其特征在于：所述第二金属层材料为铝或铝铜合金。
19.根据权利要求14或16所述的介质层形成方法，其特征在于：所述热处理操作的温度范围为350～450摄氏度。
20.根据权利要求14或16所述的介质层形成方法，其特征在于：所述热处理操作的持续时间为20～120秒。
21.根据权利要求14或16所述的介质层形成方法，其特征在于：所述热处理操作选用的气体为氮气、氦气或氩气中的一种或其组合。
22.根据权利要求14或16所述的介质层形成方法，其特征在于：所述热处理操作选用的气体的流量范围为2000～20000sccm。
23.一种金属层平整化方法，其特征在于，包括：
提供半导体基体；
形成覆盖所述半导体基体的金属层；
平整化所述金属层；
对已形成金属层的所述半导体基体执行热处理操作。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
