[发明专利]输出电压可调节的带隙基准电压电路无效

专利信息
申请号: 200710044766.X 申请日: 2007-08-10
公开(公告)号: CN101105699A 公开(公告)日: 2008-01-16
发明(设计)人: 余维学;程剑涛;王传芳 申请(专利权)人: 启攀微电子(上海)有限公司
主分类号: G05F3/24 分类号: G05F3/24
代理公司: 上海智信专利代理有限公司 代理人: 缪利明
地址: 201103上*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 输出 电压 调节 基准 电路
【权利要求书】:

1.一种带隙基准电压电路,包括:

基准电压配置单元,包括:

电源;

MOS晶体管单元,该MOS晶体管单元包括输入端、输出端、以及控制端,其中该输入端与该电源相连接;

运算放大器,包括正极性输入端、负极性输入端、以及输出端,其中该输出端与该MOS晶体管单元的控制端相连接;

第一电阻、第二电阻以及第三电阻,其中该第一电阻的一端与该MOS晶体管单元的输出端相连接,另一端与该运算放大器的正极输入端相连接,该第二电阻的一端与该MOS晶体管单元的输出端相连接,另一端和第三电阻串联,并且该端与该运算放大器的负极输入端相连接;

第一晶体管单元以及第二晶体管单元,该第一晶体管单元与该第二晶体管单元的发射极分别与该第一电阻以及该第三电阻相连接;基准电压输出端,与该MOS晶体管单元的输出端相连接;

其特征在于,该电路进一步包括一电压调节配置单元,包括一个输入端、一个输出端以及相互串联的第一调节电阻和第二调节电阻,其中该输出端位于该第一调节电阻和第二调节电阻之间,且与该第一晶体管单元和该第二晶体管单元的基极相连接,该串联的第一调节电阻和第二调节电阻其一端通过该输入端与基准电压输出端相连接,另一端接地。

2.如权利要求1所述的带隙基准电压电路,其特征在于,所述第一晶体管单元与所述第二晶体管单元的发射极接地。

3.如权利要求1或2所述的带隙基准电压电路,其特征在于,所述第二晶体管单元的集电极面积为所述第一晶体管单元集电极面积的多个倍数。

4.一种带隙基准电压电路,其特征在于,包括:

如权利要求1所述的基准电压配置单元,作为第一基准电压配置单元;

如权利要求1所述的基准电压配置单元,作为第二基准电压配置单元;

其中:所述第二基准电压配置单元中该第一晶体管单元的基极与所述第一电压配置单元中该第一晶体管单元的发射极相连接,并且所述第二基准电压配置单元中该第二晶体管单元的基极与所述第一电压配置单元中该第二晶体管单元的发射极相连接;

电压调节配置单元,包括一个输入端一个输出端以及相互串联的第一调节电阻和第二调节电阻,其中该输出端位于该第一调节电阻和第二调节电阻之间,且与该第一基准电压配置单元中的该第一晶体管单元和该第一基准电压配置单元中的第二晶体管单元的基极相连接,该串联的第一调节电阻和第二调节电阻其一端通过该输入端与基准电压输出端相连接,另一端接地。

5.如权利要求4所述的带隙基准电压电路,其特征在于,所述第一基准电压配置单元中和所述第二基准电压配置单元中的第一晶体管单元和第二晶体管单元的集电极均接地。

6.如权利要求4或5所述的带隙基准电压电路,其特征在于,所述第一基准电压配置单元中的第二晶体管单元的集电极面积是所述第一基准电压配置单元中第一晶体管单元的集电极面积的多个倍数。

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