[发明专利]用于相变存储器的SiSb基相变薄膜材料无效
| 申请号： | 200710044701.5 | 申请日： | 2007-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN101132049A | 公开（公告）日： | 2008-02-27 |
| 发明（设计）人： | 冯洁;张胤;蔡炳初;陈邦明 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学;硅存储技术公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C11/56;C22C12/00;G11B7/243 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 | 代理人： | 王锡麟;王桂忠 |
| 地址： | 200240*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 相变 存储器 sisb 薄膜 材料 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于相变存储器的SiSb基相变薄膜材料，其特征在于，所述SiSb基相变薄膜组分为(SixSb1-x)1-yMy，其中元素M是O元素或N元素或它们的混合物，掺杂元素M的含量y是0-15％原子百分比，Si含量x为5-90％原子百分比。
2.根据权利要求1所述的用于相变存储器的SiSb基相变薄膜材料，其特征是，所述掺杂元素M的含量y为零，相变薄膜材料的组分为SixSb1-x，Si含量x为10-60％原子百分比。
3.根据权利要求1或者2所述的用于相变存储器的SiSb基相变薄膜材料，其特征是，通过至少一个电脉冲来改变SiSb基相变薄膜的电阻，并且电阻值在2倍到2个数量级范围内发生变化。
4.根据权利要求1或者2所述的用于相变存储器的SiSb基相变薄膜材料，其特征是，通过电脉冲实现SiSb基相变薄膜从高阻态到低阻态之间的可逆转变，其高阻态比低阻态的电阻值至少大1倍。
5.根据权利要求1或者2所述的用于相变存储器的SiSb基相变薄膜材料，其特征是，通过至少一个激光脉冲来改变SiSb基相变薄膜的反射率。
6.根据权利要求1或者2所述的用于相变存储器的SiSb基相变薄膜材料，其特征是，通过激光脉冲实现SiSb基相变薄膜各反射率状态之间的可逆转变。
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