[发明专利]掩膜板及掩膜板的形成方法有效
| 申请号： | 200710044566.4 | 申请日： | 2007-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN101359167A | 公开（公告）日： | 2009-02-04 |
| 发明（设计）人： | 张飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/00 | 分类号： | G03F1/00;G03F1/14 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 掩膜板 形成 方法 | ||
1.一种掩膜板的形成方法，其特征在于，包括步骤：
设计掩膜板的版图，所述版图具有至少一个图形区域；
在设计的掩膜板版图的至少一个所述图形区域内加入相移光栅；
刻蚀对曝光光线具有透光性的透光基板，形成相移光栅的开槽；
在各所述图形区域内开槽以外的区域上覆盖对于曝光光线具有遮光性的材料，形成掩膜板；
其中，所述在各所述图形区域内开槽以外的区域上覆盖对于曝光光线具有遮光性的材料，包括步骤：
利用辅助材料覆盖透光基板表面并填充所述开槽；
利用研磨的方法去除所述透光基板表面的所述辅助材料；
在各所述图形区域上覆盖对于曝光光线具有遮光性的材料；
去除所述开槽内的所述辅助材料。
2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于：在设计掩膜板的版图时，还利用光学邻近效应校正方法对版图进行了修正。
3.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于：在掩膜板版图内加入相移光栅之前，还包括步骤：
利用仿真软件确定各所述图形区域内需要加入相移光栅的区域。
4.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于：所述开槽的深度为所述曝光光线波长的奇数倍。
5.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于：在刻蚀透光基板，形成相移光栅的开槽前，还包括步骤：
利用掩膜层在所述透光基板上定义待刻蚀的开槽区域。
6.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于：所述辅助材料为环氧树脂或蜡。
7.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于：加入所述相移光栅时，令开槽的延伸方向平行于其所在的图形区域的延伸方向。
8.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于：所述具有遮光性的材料为金属铬或氧化铬材料。
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G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
