[发明专利]半导体的清洗方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体的清洗方法，特别涉及以扫描方式对BICMOS半导体晶圆进行的显影后的清洗方法。

背景技术

BICMOS半导体器件为具有双极晶体管及互补场效应晶体管(CMOS)的半导体器件，BICMOS器件具有CMOS晶体管的低功耗特性和高集成度特性以及双极晶体管的高速开关特性和高电流驱动性能。

一般BICMOS半导体器件的制造过程包括，衬底清洗、涂布光阻、烘干、曝光、显影、清洗、离子注入等的制程。目前，公知的清洗单元如图1所示清洗臂(未示出)、清洗喷嘴1等组成，与清洗臂固定的清洗喷嘴1以柱状且固定不动的形式对准BICMOS晶圆3中心区域喷洒去离子水2清除BICMOS晶圆3上的显影液，旋转吸盘6经由旋转轴4和作为旋转驱动装置5的驱动装置连接，旋转驱动装置5驱动旋转吸盘6带动BICMOS晶圆3绕旋转轴4旋转，在旋转吸盘6利用驱动装置5可以保持晶圆3的状态旋转和升降。

但是，在上述清洗过程中，上述清洗喷嘴1固定不动的形式喷洒去离子水2，而旋转吸盘6带动晶圆3绕转轴4旋转，这样去离子水2与晶圆3摩擦不均匀，引起喷嘴1与晶圆3的中心处过度积累静电，如图4所示，容易在晶圆3的中心处积累过多的静电产生大量的击穿电量(Quantity of breakdown，Qbd)，以至破坏栅氧化层的抗电击穿能力，产生的击穿电量容易影响BICMOS半导体器件的性能和可靠性。

发明内容

本发明的目的在于提供一种半导体的清洗方法，通过该方法使清洗液清洗半导体晶圆时不产生击穿电量。

为了达到所述的目的，本发明提供了一种半导体的清洗方法，该清洗方法包括以下步骤：提供一半导体晶圆衬底，于该半导体晶圆衬底上形成阱区，于该阱区上形成一二氧化硅绝缘层，于该二氧化硅绝缘层形成一光阻层，利用显影液对光阻层进行显影，清洗液以扫描方式对半导体晶圆上的显影液进行清洗。

在上述半导体的清洗方法中，所述的半导体晶圆衬底由P型硅组成。

在上述半导体的清洗方法中，所述的阱区为P型阱区。

在上述半导体的清洗方法中，所述的阱区为N型阱区。

在上述半导体的清洗方法中，所述的清洗液通过喷嘴喷洒。

在上述半导体的清洗方法中，所述的喷嘴从半导体晶圆的边缘向中心重复扫描移动。

在上述半导体的清洗方法中，所述的喷嘴从半导体晶圆的中心向边缘重复扫描移动。

在上述半导体的清洗方法中，所述的喷嘴在半导体晶圆的边缘与中心连续往返重复扫描移动。

在上述半导体的清洗方法中，所述的清洗液为去离子水。

在上述半导体的清洗方法中，所述的半导体为具有双极晶体管及互补场效应晶体管的半导体。

本发明由于采用了上述的技术方案，使之与现有技术相比，具有清洗半导体晶圆时不产生击穿电量，达到保证半导体晶圆质量的目的。

附图说明

本发明的BICMOS半导体器件的清洗方法由以下的实施例及附图给出。

图1为现有技术中的清洗装置示意图；

图2为本发明的BICMOS半导体器件剖面图；

图3为本发明的清洗方法示意图；

图4为清洗后的BICMOS晶圆的击穿电量检测图。

具体实施方式

以下将对本发明的BICMOS半导体器件的清洗方法作进一步的详细描述。

如图2所示，BICMOS半导体器件包括一衬底7，该衬底7材料为硅或者锗或者是硅锗化合物，在本发明中，衬底为P型硅衬底，通过LOCOS(硅的局部氧化)及STI(窄沟道隔离)方法，在P型硅衬底7内形成元件隔离氧化膜10，通过以350kev的能量及5×10¹³cm^-2浓度植入硼离子形成P型阱区8，并通过以700kev的能量及5×10¹³cm^-2浓度植入磷离子形成N型阱区9。然后生长一二氧化硅绝缘层11，且二氧化硅绝缘层11上涂布一层光阻12后，经过严格的烘干程序，再以紫外线或准分子激光进行曝光后得到曝光图案，按照图案进行显影，利用显影液去除曝光图案外的光阻，再利用清洗单元喷洒的清洗液将显影液清洗掉，最后对二氧化硅绝缘层11进行蚀刻产生栅电极，其中清洗液为去离子水等能去除显影液的清洗液。