[发明专利]一种气相晶体生长压力自动控制系统

权利要求书

1.一种气相晶体生长压力控制系统，包括真空室1、进气气源2、质量流量计3、真空泵4、压力控制仪表5、自动针阀调节器6、绝对压力传感器7，其特征在于：

进气气源2由质量流量计3控制，通过管道与真空室1相连，真空泵4通过管道一路和真空室直接相连，一路通过自动针阀调节器6和真空室相连；

绝对压力传感器7与真空室1相连，压力控制仪表5按设定程序并根据绝对压力传感器7的反馈信号自动控制真空泵和自动针阀调节器6的工作。

2.按权利要求1所述的一种气相晶体生长压力控制系统，其特征在于自动针阀调节器通过调节针阀开启度实现小气体流量控制。

3.按权利要求1或2所述的一种气相晶体生长压力控制系统，其特征在于压力控制仪表包含有可编程序并具有PID调节功能的控制单元。

4.一种气相晶体生长压力控制方法，其特征在于包括下述步骤：

1)质量流量计测定进气气源进入真空室气体流量并达到预定数值；

2)绝对压力传感器测定真空室内部压力的变化情况；

3)绝对压力传感器反馈信号给压力控制仪表；

4)压力控制仪表自动控制真空泵开启达到预定数值；

5)压力控制仪表控制自动针阀调节器微量调节针阀的开启度并保持压力在恒定值；

6)依次按上述步骤2)、3)、5)重复循环。

5.一种气相晶体生长压力控制方法，其特征在于步骤5)压力控制仪表通过包含有可编程序并具有PID调节功能的控制单元控制自动针阀调节器微量调节针阀的开启度。