[发明专利]太赫兹量子级联激光器脊形结构湿法腐蚀的方法

权利要求书

1.一种太赫兹量子级联激光器脊形结构湿法腐蚀的方法，其特征在于包括步骤：

1)腐蚀前的准备：采用光刻显影制作腐蚀掩膜、坚膜；

2)腐蚀之前，先用稀盐酸去除器件材料表面的氧化膜；

3)湿法腐蚀：将太赫兹量子级联激光器件材料用夹具固定，放入盛有腐蚀液的烧杯中，采用磁力搅拌器，进行湿法腐蚀，所述夹具包括支撑件、一端固定在所述支撑件上，另一端呈开口状的夹持件、及穿置所述夹持件以限制所述夹持件开口的尺寸的调节件，所述腐蚀液采用体积比为1∶8∶160的硫酸、双氧水及水的组合；

4)腐蚀结束后，迅速将器件材料从腐蚀液中取出，用过量的去离子水冲洗，然后用高纯氮气吹干；

5)去掩膜：将器件材料放入丙酮溶液中浸泡3-5分钟去除表面的光刻胶掩膜；

6)将去除掩膜后的器件材料进行台阶仪测试，确定腐蚀深度。

2.根据权利要求1所述的太赫兹量子级联激光器脊形结构湿法腐蚀的方法，其特征在于：在腐蚀过程中，所述器件材料正面朝下放入腐蚀液以避免因光刻胶脱落到器件材料表面而导致腐蚀质量受影响。

3.根据权利要求1所述的太赫兹量子级联激光器脊形结构湿法腐蚀的方法，其特征在于：所述磁力搅拌器的搅拌子采用低于100转每分钟的低速旋转搅拌以保证腐蚀速率的一致性。

4.根据权利要求1所述的太赫兹量子级联激光器脊形结构湿法腐蚀的方法，其特征在于：在腐蚀过程中，腐蚀速率控制在约210纳米/分钟。

5.根据权利要求1所述的太赫兹量子级联激光器脊形结构湿法腐蚀的方法，其特征在于：所述夹具采用耐酸耐碱的聚四氟乙烯材料。

6.根据权利要求1所述的太赫兹量子级联激光器脊形结构湿法腐蚀的方法，其特征在于：所述支撑件为支撑杆或支撑柱。

7.根据权利要求1所述的太赫兹量子级联激光器脊形结构湿法腐蚀的方法，其特征在于：所述夹持件为分离的两片状物或镊子状物。

8.根据权利要求1所述的太赫兹量子级联激光器脊形结构湿法腐蚀的方法，其特征在于：所述调节件为螺合件。