[发明专利]一种可避免产生包状缺陷的等离子化学气相沉积方法

权利要求书

1.一种可避免产生包状缺陷的等离子化学气相沉积方法，其在一具有多个晶圆沉积台的等离子化学气相沉积设备中进行，该气相沉积设备还对应每一晶圆沉积台设置一微波发生器，该等离子化学气相沉积包括预沉积和主沉积两步骤，其中，在预沉积步骤中，该多个微波发生器在不同时刻开启，并一直持续，其特征在于，在主沉积步骤中，该多个微波发生器在步骤开始时均全部开启，且在不同时刻关闭。

2.如权利要求1所述的可避免产生包状缺陷的等离子化学气相沉积方法，其特征在于，该预沉积步骤中的微波发生器的功率均小于主沉积步骤中的微波发生器的功率。

3.如权利要求1所述的可避免产生包状缺陷的等离子化学气相沉积方法，其特征在于，该晶圆沉积台还设置有加热单元。

4.如权利要求3所述的可避免产生包状缺陷的等离子化学气相沉积方法，其特征在于，该方法通过调节加热单元的温度，来确保沉积在不同晶圆上的沉积物的厚度均匀，其中，该不同晶圆设置在不同的晶圆沉积台上进行沉积。

5.如权利要求1所述的可避免产生包状缺陷的等离子化学气相沉积方法，其特征在于，该等离子化学气相沉积方法用于沉积氮化硅。