[发明专利]一种用于锑化钴基热电元件的合金电极及元件制备方法

权利要求书

1、一种用于锑化钴基热电元件的合金电极，其特征在于所述的合金电极为Cu-W合金，其中W的质量百分含量为20％-30％，余量为铜和少量不可避免的杂质。

2、按权利1要求所述的用于锑化钴基热电元件的合金电极，其特征在于所述的Cu-W合金电极中W的质量百分含量为25％，余量为Cu和少量不可避免的杂质。

3、一种由权利要求1或2所述的用于锑化钴基热电元件的合金电极与热电材料的连接方法，其特征在于连接工艺步骤为：

(a)首先将Cu-W合金电极制成金属片，经喷砂处理，用超声处理方法去掉表面杂质，Cu-W合金电极金属片中W的质量百分含量为20％-30％，余量为Cu和少量不可避免的杂质；

(b)将步骤(a)经处理后的Cu-W合金电极金属片放入石墨模具中，在电极金属片上均匀覆盖Ti粉作为过渡层，然后在Ti粉表面再均匀地铺上CoSb₃粉体；

(c)真空中进行放电等离子烧结，真空度1Pa-15Pa，烧结温度550-600℃，烧结压力为30-60Mpa，利用放电等离子方法将CoSb₃热电材料与Cu-W合金电极连接。

4、按权利要求3所述的用于锑化钴基热电元件的合金电极与热电材料的连接方法，其特征在于所述的Cu-W电极金属片厚度为1-3mm

5、按权利要求3所述的用于锑化钴基热电元件的合金电极与热电材料的连接方法，其特征在于所使用的Ti粉粒径为20-50μm。

6、按权利要求3所述的用于锑化钴基热电元件的合金电极与热电材料的连接方法，其特征在于步骤(c)中放电等离子烧结时的升温速度为80-150℃/min。

7、按权利要求3所述的用于锑化钴基热电元件的合金电极与热电材料的连接方法，其特征在于步骤(c)中放电等离子烧结保温时间为10-30分钟。

8、按权利要求3或5所述的用于锑化钴基热电元件的合金电极与热电材料的连接方法，其特征在于所述合金电极金属片和CoSb₃热电材料连接的，Ti过渡层的厚度为50-200μm。