[发明专利]缺陷检测机台的匹配方法

说明书

技术领域

本发明涉及机台的匹配方法，尤其涉及缺陷检测机台相互之间匹配的方法。 

背景技术

在半导体制程中，缺陷扫描是一极为重要的环节，目前各生产厂商常采用KLA2138机台对晶片进行缺陷扫描。然而由于各机台本身存在有差异，因此在对同一晶片扫描后，各机台获得的该晶片的缺陷数目往往存在差异，如此会给工程人员带来困惑，使其难以确定哪一机台获得数据更为准确、更为接近该晶片真实的缺陷数目。 

因此，如何匹配各机台以使各机台扫描后获得的缺陷数目之间的差异都在一合理范围之内实已成为本领域技术人员亟待解决的难题。 

发明内容

本发明的目的在于提供一种用于晶片的缺陷检测机台的匹配方法，使匹配后的各机台对同一晶片检测获得的缺陷数目之间的差异不超过10％。 

本发明的另一目的在于提供一种缺陷检测机台的匹配系统，以使经过匹配的机台对晶片同样缺陷的捕获率不低于90％。 

为了达到上述的目的，本发明提供一种用于晶片的缺陷检测机台的匹配方法，它包括：a)生成一包括各待匹配机台检测所述标准晶片时需要采用的各焦距阈值及初始焦距微调值的匹配程式；b)各待匹配机台分别根据所述匹配程式的各焦距阈值及初始焦距微调值对所述标准晶片分别进行相应检测以获得各第一缺陷数目，其中，每一待匹配机台采用同一焦距阈值检测所述标准晶片时都重复多次以得到相应第一缺陷数目组；c)分别根据每一待匹配机台与各焦距阈值分别对应的各第一缺陷数目组确定相应的最优焦距阈值，其中，若第一缺陷数目组中的任意两个第一缺陷数目之间的差值不超过第一预设范围，其所对应 的焦距阈值即被确定为所述相应的最优焦距阈值；d)当相关人员采用不同焦距微调值替换所述匹配程式中的初始焦距微调值后，各待匹配机台根据所述最优焦距阈值及修改后的各焦距微调值分别对所述标准晶片进行相应检测以获得各第二缺陷数目，并分别建立各待匹配机台的焦距微调值与第二缺陷数目的第一关系模型；e)根据建立的各第一关系模型选择第一关系模型峰值处变化率最大者作为参照模型以确定参照机台；f)调节未被确定为参照机台的各待匹配机台的时间延时集成焦距(Time Delay Integration，TDI)焦距以使相应各焦距微调值再次被修改；g)未被确定为参照机台的各待匹配机台根据再次修改后的焦距微调值对所述标准晶片进行检测以获得第三缺陷数目，并建立所述第三缺陷数目与相应焦距微调值之间的第二关系模型；以及h)根据各第二关系模型及所述参照模型确定各最优焦距微调值以使各未被确定为参照机台的各待匹配机台与参照机台相匹配，其中，在各最优焦距微调值处各第二关系模型对应的各第三缺陷数目与所述参照模型对应的第二缺陷数目之间的差值不超过第二预设范围。 

其中，所述用于晶片的缺陷检测机台的匹配方法还包括：所述各待匹配机台根据相应最优焦距阈值及对应的焦距微调值对所述标准晶片分别进行扫描以验证所述待匹配机台对缺陷的捕获率是否达到预设值。 

在步骤d)中，所述待匹配机台采用每一焦距微调值都对所述标准晶片检测多次以得到平均的第一缺陷数目，所述待匹配机台根据相关人员在所述匹配程式对应的数据文件中将不同焦距微调值替换所述初始焦距微调值后进行相应检测。 

在步骤d)及g)中，分别采用excel建立相应第一关系模型及第二关系模型。 

在所述用于晶片的缺陷检测机台的匹配方法中，所述标准晶片为TRENCH Etch晶片，所述待匹配的机台为KLA2138机台。 

本发明通过确定最优焦距阈值及相应的焦距微调值可使待匹配机台与标准机台相匹配，使两者对同一晶片检测获得的缺陷数目之间的差异不超过10％，同时可使经过匹配的机台对晶片同样缺陷的捕获率不低于90％。 

附图说明

本发明的用于晶片的缺陷检测机台的匹配方法由以下的实施例及附图给出。 

图1是本发明具体实施例的流程图。 

图2是本发明生成的匹配程式的界面示意图。 

图3是本发明一缺陷数目与焦距阈值的关系曲线示意图。 

图4是本发明修改过焦距微调值后的匹配程式的界面示意图。 

图5是本发明不同编号的KLA2138机台的第一关系模型示意图。 

图6是本发明两台不同机台的第一关系模型示意图。 

图7是本发明两台不同机台的第二关系模型示意图。