[发明专利]一种半导体远红外全科治疗仪无效
| 申请号： | 200710043284.2 | 申请日： | 2007-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN101332339A | 公开（公告）日： | 2008-12-31 |
| 发明（设计）人： | 潘跃进;贾海泉 | 申请（专利权）人： | 上海中大科技发展有限公司;上海洁润丝纺织品工业有限公司 |
| 主分类号： | A61N5/06 | 分类号： | A61N5/06 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所 | 代理人： | 翟羽 |
| 地址： | 200336上海市青*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 红外 治疗 | ||
1.一种半导体远红外全科治疗仪，其特征在于它包括电源、定时数字温控器以及至少一个红外发光二极管，所述红外发光二极管与电源和定时数字温控器连接。
2.根据权利要求1所述的半导体远红外全科治疗仪，其特征在于：所述红外发光二极管采用红外贴片发光二极管。
3.根据权利要求1或2所述的半导体远红外全科治疗仪，其特征在于：所述红外发光二极管发出的光的波长为800纳米至1400纳米。
4.根据权利要求1所述的半导体远红外全科治疗仪，其特征在于：所述电源为直流电源或蓄电池或可充电电池。
5.一种半导体远红外全科治疗仪，其特征在于它包括电源、开关以及至少一组由单个红外发光二极管串联而成的红外发光屏，并与电源和定时数字温控器电性连接。
6.根据权利要求5所述的半导体远红外全科治疗仪，其特征在于：所述红外发光二极管采用红外贴片发光二极管。
7.根据权利要求5或6所述的半导体远红外全科治疗仪，其特征在于：所述红外发光二极管发出的光的波长为800纳米至1400纳米。
8.根据权利要求5所述的半导体远红外全科治疗仪，其特征在于：所述电源为直流电源或蓄电池或可充电电池。
9.一种半导体远红外全科治疗仪，其特征在于它包括电源、定时数字温控器以及若干组由单个红外发光二极管串联而成的红外发光屏，并与电源和定时数字温控器电性连接。
10.根据权利要求9所述的半导体远红外全科治疗仪，其特征在于：所述红外发光二极管采用红外贴片发光二极管。
11.根据权利要求9或10所述的半导体远红外全科治疗仪，其特征在于：所述红外发光二极管发出的光的波长为800纳米至1400纳米。
12.根据权利要求11所述的半导体远红外全科治疗仪，其特征在于：所述电源为直流电源或蓄电池或可充电电池。
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