[发明专利]氮化钛层的制造方法及其装置无效
| 申请号： | 200710043276.8 | 申请日： | 2007-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN101333641A | 公开（公告）日： | 2008-12-31 |
| 发明（设计）人： | 徐锦添 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/22 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化 制造 方法 及其 装置 | ||
1、一种制造氮化钛层的装置，包括物理气相沉积反应腔和物理气相沉积反应腔连接的气体过滤器，其特征在于：该气体过滤器还与一氮气供应装置连接。
2、如权利要求1所述的制造氮化钛层的装置，其特征在于：所述的氮气供应装置由两个气动阀、该两个气动阀之间的气体流量控制器和一存储氮气的存储器组成。
3、如权利要求1所述的制造氮化钛层的装置，其特征在于：该制造氮化钛层的装置还包括一惰性气体供应装置。
4、如权利要求3所述的制造氮化钛层的装置，其特征在于：所述的惰性气体供应装置由两个气动阀、该两个气动阀之间的气体流量控制器和一存储惰性气体的存储器组成。
5、如权利要求4所述的制造氮化钛层的装置，其特征在于：所述的惰性气体为氩气或氦气。
6、如权利要求1所述的制造氮化钛层的装置，其特征在于：所述的物理气相沉积反应腔和气体过滤器之间还包括一气动阀，该气动阀关闭时防止气体进入物理气相沉积反应腔。
7、如权利要求1或6所述的制造氮化钛层的装置，其特征在于：所述的物理气相沉积反应腔为解离金属电浆物理气相沉积反应腔。
8、一种制造氮化钛层的方法，其特征在于，包括下列步骤：
(1)在物理气相沉积反应腔中形成钛金属层；
(2)在所述钛金属层表面形成保护层；
(3)保护层在化学气相沉积反应腔中形成氮化钛层。
9、如权利要求7所述的制造氮化钛层的方法，其特征在于：所述的钛金属利用惰性气体和氮气通过物理气相沉积法形成保护层。
10、如权利要求7所述的制造氮化钛层的方法，其特征在于：所述的惰性气体为氩气或氦气。
11、如权利要求7或8所述的制造氮化钛层的方法，其特征在于：所述的保护层为厚度为5纳米的氮化钛层。
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