[发明专利]铝互连线结构及其制成方法

权利要求书

1、一种集成电路制成中的铝互连线结构，所述铝互连线结构包括：

钛金属层；

形成于所述钛金属层之上的氮化钛层；

形成于所述氮化钛层之上的铝传导层；

其特征在于，所述钛金属层与所述氮化钛层之间还包括一氧化钛层。

2、如权利要求1所述的铝互连线结构，其特征在于，所述钛金属层是形成于硅衬底之上。

3、如权利要求2所述的铝互连线结构，其特征在于，所述钛金属层通过偏压溅射的离子化金属电浆溅镀方法形成。

4、如权利要求1所述的铝互连线结构，其特征在于，所述铝互连线结构进一步包括形成于所述铝传导层之上的另一氮化钛层。

5、如权利要求1所述的铝互连线结构，其特征在于，所述氮化钛层是通过直流磁控溅镀系统沉积于所述氧化钛层之上。

6、如权利要求1所述的铝互连线结构，其特征在于，所述铝传导层是通过增强的晶体取向形成。

7、一种集成电路制成中的铝互连线结构的制成方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

提供一硅衬底；

在所述硅衬底上形成一钛金属层；

将所述钛金属层暴露于含有氧气的气体环境中，形成氧化钛层；

将氮化钛层沉积于所述氧化钛层上；

在所述氧化钛层上形成铝传导层。

8、如权利要求1所述的铝互连线结构的制成方法，其特征在于，所述方法进一步包括：将另一氮化钛层沉积于所述铝传导层之上。