[发明专利]互补金属氧化物半导体图像传感器及其制造方法

权利要求书

1.一种互补金属氧化物半导体图像传感器的制造方法，其特征在于，包括：

提供具有金属氧化物半导体器件和光敏区的半导体衬底；

在所述半导体衬底上形成介质层；

在所述介质层中形成底部露出所述光敏区的第一开口；

在所述第一开口中填充导电硅材料，形成第一接触塞；

在形成有所述第一接触塞的介质层中形成第二开口；

在所述第二开口中形成与所述金属氧化物半导体器件连接的第二接触塞。

2.如权利要求1所述的互补金属氧化物半导体图像传感器的制造方法，其特征在于：形成所述第一开口的方法为干法刻蚀。

3.如权利要求2所述的互补金属氧化物半导体图像传感器的制造方法，其特征在于，该方法进一步包括：完成所述干法刻蚀之后对所述第一开口底部的光敏区执行软刻蚀工艺。

4.如权利要求3所述的互补金属氧化物半导体图像传感器的制造方法，其特征在于：所述软刻蚀的压力为30至50帕斯卡。

5.如权利要求1所述的互补金属氧化物半导体图像传感器的制造方法，其特征在于：所述导电硅材料为掺杂的多晶硅、掺杂的单晶硅、掺杂的非晶硅中的一种。

6.如权利要求5所述的互补金属氧化物半导体图像传感器的制造方法，其特征在于：所述掺杂的杂质为N型离子。

7.如权利要求1至6任一权利要求所述的互补金属氧化物半导体图像传感器的制造方法，其特征在于：所述填充导电硅材料的方法为高密度等离子体化学气相沉积或低压化学气相沉积。

8.如权利要求1所述的互补金属氧化物半导体图像传感器的制造方法，其特征在于，该方法进一步包括：在所述具有第一接触塞和第二接触塞的介质层上形成金属互连层。

9.如权利要求8所述的互补金属氧化物半导体图像传感器的制造方法，其特征在于，该方法进一步包括：在形成所述金属互连层之前对所述具有第一接触塞和第二接触塞的介质层的表面进行清洗，去除所述第一接触塞表面的氧化层。

10.一种互补金属氧化物半导体图像传感器的制造方法，其特征在于，包括：

提供具有金属氧化物半导体器件和光敏区的半导体衬底；

在所述半导体衬底上形成介质层；

在所述介质层中形成第二开口；

在所述第二开口中形成与所述金属氧化物半导体器件连接的第二接触塞；

在具有所述第二接触塞的介质层中形成底部露出所述光敏区的第一开口；

在所述第一开口中填充导电硅材料，形成第一接触塞。

11.如权利要求10所述的互补金属氧化物半导体图像传感器的制造方法，其特征在于：形成所述第一开口的方法为干法刻蚀。

12.如权利要求11所述的互补金属氧化物半导体图像传感器的制造方法，其特征在于，该方法进一步包括：完成所述干法刻蚀之后对所述第一开口底部的光敏区域执行软刻蚀工艺。

13.如权利要求10所述的互补金属氧化物半导体图像传感器的制造方法，其特征在于：所述导电硅材料为掺杂的多晶硅、掺杂的单晶硅、掺杂的非晶硅中的一种。

14.一种互补金属氧化物半导体图像传感器，包括，

具有金属氧化物半导体器件和光敏区的半导体衬底；

位于所述半导体衬底上且覆盖所述光敏区和金属氧化物半导体器件的介质层；

位于所述介质层中的第二接触塞；

位于所述介质层上的金属互连层；其中，所述光敏区与所述金属氧化物半导体器件电连接；所述金属氧化物半导体器件通过所述第二接触塞和所述金属互连层电连接；其特征在于，还包括：位于所述介质层中的第一接触塞，所述第一接触塞为导电硅材料，所述第一接触塞与所述光敏区直接连接，所述光敏区包含所述金属氧化物半导体器件的源极，所述光敏区通过所述第一接触塞和所述金属互连层电连接。

15.如权利要求14所述的互补金属氧化物半导体图像传感器，其特征在于：所述导电硅材料为掺杂的多晶硅、掺杂的单晶硅、掺杂的非晶硅中的一种。

16.如权利要求15所述的互补金属氧化物半导体图像传感器，其特征在于：所述掺杂中使用的杂质为N型离子。