[发明专利]确定沟槽刻蚀时间的方法和浅沟槽隔离的制造方法

权利要求书

1、一种确定沟槽刻蚀时间的方法，其特征在于，包括：

提供具有沟槽图案的第一掩膜板，获得该第一掩膜板的透光率；

将所述透光率的值输入到预先获得的第二掩膜板透光率和沟槽刻蚀时间的函数关系中，计算与所述第一掩膜板的沟槽图案相应的沟槽的刻蚀时间，其中，所述第二掩膜板具有沟槽图案，且所述第二掩膜板的沟槽图案和第一掩膜板的沟槽图案具有相同的技术节点；

获得所述第二掩膜板透光率和沟槽刻蚀时间的函数关系的步骤如下：

提供一组具有不同透光率的第二掩膜板，该组第二掩膜板的沟槽图案具有相同的技术节点；

通过光刻和刻蚀工艺将第二掩膜板的沟槽图案转移到半导体衬底中，形成沟槽，并检测每一第二掩膜板的沟槽图案相应的沟槽的刻蚀时间；

拟合沟槽刻蚀时间与第二掩膜板的透光率的关系曲线。

2、如权利要求1所述的确定沟槽刻蚀时间的方法，其特征在于：通过曝光机测量获得第一掩膜板的透光率。

3、如权利要求1所述的确定沟槽刻蚀时间的方法，其特征在于：所述拟合为线性拟合。

4、如权利要求1所述的确定沟槽刻蚀时间的方法，其特征在于：所述第一掩膜板和第二掩膜板为二元掩膜板或相移式掩膜板。

5、一种制造浅沟槽隔离的方法，其特征在于，包括：

提供具有浅沟槽隔离的沟槽图案的第一掩膜板，获得该第一掩膜板的透光率；

将所述透光率的值输入到预先获得的第二掩膜板透光率和沟槽刻蚀时间的函数关系中，计算与所述第一掩膜板的沟槽图案相应的沟槽的刻蚀时间t，其中，所述第二掩膜板具有浅沟槽隔离的沟槽图案，且所述第二掩膜板的沟槽图案和第一掩膜板的沟槽图案具有相同的技术节点；

通过光刻和刻蚀将所述第一掩膜板的沟槽图案转移到半导体衬底中，在所述半导体衬底中形成沟槽，其中，形成该沟槽的刻蚀的时间为t；

在所述沟槽中填充绝缘物质；

获得所述第二掩膜板和沟槽刻蚀时间的函数关系的步骤如下：

提供一组具有不同透光率的第二掩膜板，该组第二掩模板的沟槽图案具有相同的技术节点；

通过光刻和刻蚀工艺将所述第二掩膜板的沟槽图案转移到半导体衬底中，形成沟槽，并检测每一第二掩膜板的沟槽图案相应的沟槽的刻蚀时间；

拟合沟槽刻蚀时间与第二掩膜板的透光率的关系曲线。

6、如权利要求5所述的浅沟槽隔离的制造方法，其特征在于：通过曝光机测量获得第一掩膜板的透光率。

7、如权利要求5所述的浅沟槽隔离的制造方法，其特征在于：所述拟合为线性拟合。

8、如权利要求5所述的浅沟槽隔离的制造方法，其特征在于：所述第一掩膜板和第二掩膜板为二元掩膜板或相移式掩膜板。

9、如权利要求5所述的浅沟槽隔离的制造方法，其特征在于，通过光刻和刻蚀将所述第一掩膜板的沟槽图案转移到半导体衬底中，在所述半导体衬底中形成沟槽的步骤如下：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底上形成垫氧化层和硬掩膜层；

在所述硬掩膜层上形成光刻胶层；

通过光刻工艺将所述第一掩膜板的沟槽图案转移到所述光刻胶层中，在所述光刻胶层中形成开口；

去除所述开口底部的硬掩膜层和垫氧化层；

刻蚀所述开口底部的半导体衬底，在所述半导体衬底中形成沟槽；

去除所述光刻胶层。

10、如权利要求9所述的浅沟槽隔离的制造方法，其特征在于，该方法进一步包括：在所述沟槽中填充绝缘物质后去除所述硬掩膜层和垫氧化层。