[发明专利]一种光刻机的监测系统及光刻机的监测方法有效
申请号: | 200710041956.6 | 申请日: | 2007-06-13 |
公开(公告)号: | CN101324758A | 公开(公告)日: | 2008-12-17 |
发明(设计)人: | 白兰萍;敖松泉 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;H01L21/027 |
代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人: | 王洁 |
地址: | 201203*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 光刻 监测 系统 方法 | ||
1.一种光刻机的监测系统,该监测系统包括能量稳定性监测系统及焦点稳定性监测系统;
所述能量稳定性监测系统完成光刻机能量稳定性的监测、及关键线宽的量测;
所述焦点稳定性监测系统完成最佳焦平面的稳定性监测、及不同焦点对应关键线宽的量测;
所述能量稳定性监测系统及焦点稳定性监测系统均包括若干晶片;
其特征在于:
所述能量稳定性监测系统与所述焦点稳定性监测系统共用一组晶片;
所述共用的一组晶片中,部分晶片完成光刻机能量稳定性的监测、关键线宽的量测、最佳焦平面的稳定性监测、及不同焦点对应关键线宽的量测。
2.如权利要求1所述的监测系统,其特征在于,所述监测系统中的晶片包括共用晶片组及单用晶片组;
所述共用晶片组完成光刻机能量稳定性的监测、关键线宽的量测、最佳焦平面的稳定性监测、及不同焦点对应关键线宽的量测;
所述共用晶片组中晶片的数目对应于能量稳定性监测系统、焦点稳定性监测系统中所需晶片数目较少的一个;
所述单用晶片组属于能量稳定性监测系统、焦点稳定性监测系统中所需晶片数目较多的一个。
3.如权利要求1或2所述的监测系统,其特征在于,所述能量稳定性监测系统中晶片数目与涂部机的显影槽个数相对应。
4.如权利要求3所述的监测系统,其特征在于,所述能量稳定性监测系统中晶片数目为4个。
5.如权利要求1或2所述的监测系统,其特征在于,所述焦点稳定性监测系统中晶片数目与涂部机的涂胶槽个数相对应。
6.如权利要求5所述的监测系统,其特征在于,所述焦点稳定性监测系统中晶片数目为2个。
7.如权利要求6所述的监测系统,其特征在于,所述能量稳定性监测系统中晶片数目为4个;其中2个晶片为能量稳定性监测系统及焦点稳定性监测系统所共用,完成光刻机能量稳定性的监测、关键线宽的量测、最佳焦平面的稳定性监测、及不同焦点对应关键线宽的量测。
8.配备权利要求1所述监测系统的光刻机的监测方法,其特征在于,所述监测方法包括以下过程:
所述监测系统中的晶片监测光刻机能量的稳定性,同时监测最佳焦平面的稳定性;
所述监测系统中的晶片量测关键线宽,同时量测不同焦点对应的关键线宽;
共用的一组晶片中,部分晶片完成光刻机能量稳定性的监测、关键线宽的量测、最佳焦平面的稳定性监测、及不同焦点对应关键线宽的量测。
9.如权利要求8所述的监测方法,其特征在于,所述监测系统中的晶片包括共用晶片组及单用晶片组;
所述共用晶片组完成光刻机能量稳定性的监测、关键线宽的量测、最佳焦平面的稳定性监测、及不同焦点对应关键线宽的量测;
所述共用晶片组中晶片的数目对应于能量稳定性监测系统、焦点稳定性监测系统中晶片数目较少的一个;
所述单用晶片组属于能量稳定性监测系统、焦点稳定性监测系统中晶片数目较多的一个。
10.如权利要求8或9所述的监测方法,其特征在于,所述能量稳定性监测系统中晶片数目与涂部机的显影槽个数相对应。
11.如权利要求10所述的监测方法,其特征在于,所述能量稳定性监测系统中晶片数目为4个。
12.如权利要求8或9所述的监测方法,其特征在于,所述焦点稳定性监测系统中晶片数目与涂部机的涂胶槽个数相对应。
13.如权利要求12所述的监测方法,其特征在于,所述焦点稳定性监测系统中晶片数目为2个。
14.如权利要求13所述的监测方法,其特征在于,所述能量稳定性监测系统中晶片数目为4个;其中2个晶片为能量稳定性监测系统及焦点稳定性监测系统所共用,完成光刻机能量稳定性的监测、关键线宽的量测、最佳焦平面的稳定性监测、及不同焦点对应关键线宽的量测。
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