[发明专利]外延图形漂移量的测量方法有效
| 申请号： | 200710041946.2 | 申请日： | 2007-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN101325168A | 公开（公告）日： | 2008-12-17 |
| 发明（设计）人： | 张洪伟 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 周赤 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 外延 图形 漂移 测量方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种外延图形漂移量的测量方法，其特征是：该方法包括如下步骤：
第1步，对硅片进行外延前的工艺，形成隐埋层窗口；
第2步，进行外延工艺；
第3步，涂光刻胶，烘胶，使用第1步中形成隐埋层窗口的掩膜版对硅片进行对准、曝光；
第4步，将硅片沿X轴切片，染色；
第5步，测量外延层厚度、图形左漂移量、图形右漂移量，按照公式
2.根据权利要求1所述的外延图形漂移量的测量方法，其特征是：其中第1步对硅片进行外延前的工艺，形成隐埋层窗口包括如下步骤：
第1.1步，在硅片上生长若干厚度的氧化层；
第1.2步，涂光刻胶，光刻，使用干刻形成光刻对准记号；
第1.3步，去除光刻胶，去除氧化层；
第1.4步，涂光刻胶，光刻，形成隐埋层窗口；
第1.5步，在隐埋层窗口进行离子注入；
第1.6步，去胶，炉管进行扩散推进若干时间，退火，生长若干厚度的氧化层；
第1.7步，氧化层去除，清洗。
3.根据权利要求2所述的外延图形漂移量的测量方法，其特征是：其中第1.1步生长的氧化层的厚度为200
4.根据权利要求2所述的外延图形漂移量的测量方法，其特征是：其中第1.5步注入的离子是锑，剂量是2E15atoms/cm2。
5.根据权利要求2所述的外延图形漂移量的测量方法，其特征是：其中第1.6步炉管进行扩散推进的时间为30分钟，生长的氧化层的厚度为500
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹NEC电子有限公司，未经上海华虹NEC电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710041946.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
