[发明专利]修补带缺陷光罩图形的方法有效
| 申请号： | 200710041109.X | 申请日： | 2007-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN101311821A | 公开（公告）日： | 2008-11-26 |
| 发明（设计）人： | 胡振宇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/00 | 分类号： | G03F1/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 修补 缺陷 图形 方法 | ||
1.一种修补光罩上带缺陷光罩图形的方法，其特征在于，包括下列步骤：
提供光罩与布局图形，所述光罩下方形成有抗反射层、铬膜层、透明基板；
将布局图形转移至光罩上形成光罩图形；
获取光罩上带缺陷光罩图形及其缺陷部分任意一点位置坐标，所述带缺陷光罩图形是光罩上沾染少许环境中的微粒，曝光能量不均或过度以及光刻胶材料问题而产生；
根据任意一点的位置坐标将带缺陷光罩图形对应的布局图形导出；
对导出的带缺陷光罩图形对应的布局图形进行光学近似修正；
用聚焦离子束将修正后的带缺陷光罩图形对应的布局图形转移至光罩上修补带缺陷光罩图形，将带缺陷光罩图形的缺陷部分抗反射层和铬膜层去除。
2.根据权利要求1所述修补光罩上带缺陷光罩图形的方法，其特征在于：用光罩检验工具获取带缺陷光罩图形及缺陷部分任意一点位置坐标。
3.根据权利要求1所述修补光罩上带缺陷光罩图形的方法，其特征在于：通过聚焦离子束轰击或离子反应沉积的方法修补带缺陷光罩图形。
4.根据权利要求3所述修补光罩上带缺陷光罩图形的方法，其特征在于：所述聚焦离子束为聚焦镓离子束。
5.根据权利要求1所述修补光罩上带缺陷光罩图形的方法，其特征在于：从光罩版图的原始数据库中将带缺陷光罩图形对应的布局图形导出。
6.根据权利要求1所述修补光罩上带缺陷光罩图形的方法，其特征在于：所述光学近似修正为使用光学近似修正软件模拟曝光、显影和蚀刻工艺时所需的光学参数及图形数据。
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G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
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