[发明专利]双镶嵌结构的形成方法有效
| 申请号： | 200710040986.5 | 申请日： | 2007-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN101312150A | 公开（公告）日： | 2008-11-26 |
| 发明（设计）人： | 宁先捷 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李文红 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 镶嵌 结构 形成 方法 | ||
1、一种双镶嵌结构的制造方法，包括：
提供一表面具有介质层的半导体衬底；
在所述介质层表面形成第一牺牲层；
在所述第一牺牲层表面形成第一硬掩膜层；
在所述第一硬掩膜层表面形成第一光刻胶图形；
以所述第一光刻胶图形为掩膜刻蚀部分所述第一硬掩膜层；
移除所述第一光刻胶图形；
在所述第一硬掩膜层表面形成第二牺牲层；
在所述第二牺牲层表面形成第二硬掩膜层；
在所述第二硬掩膜层表面形成第二光刻胶图形；
刻蚀所述第二硬掩膜层、第二牺牲层、第一硬掩膜层、第一牺牲层以及介质层。
2、如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述第一和第二硬掩膜层为低温氧化物。
3、如权利要求2所述的方法，其特征在于：所述第一和第二硬掩膜层的厚度为500～4000
4、如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述介质层为氟化硅玻璃、碳氧化硅或氧化硅。
5、如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述第一和第二牺牲层为富硅聚合物。
6、如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述方法还包括在所述第一和第二硬掩膜层表面形成底部抗反射层的步骤。
7、一种双镶嵌结构的制造方法，包括：
提供一表面具有介质层的半导体衬底；
在所述介质层表面形成第一牺牲层；
在所述第一牺牲层表面形成第一硬掩膜层；
在所述第一硬掩膜层表面形成第一光刻胶图形；
以所述第一光刻胶图形为掩膜刻蚀所述第一硬掩膜层直至露出所述第一牺牲层或所述介质层；
移除所述第一光刻胶图形；
在所述第一硬掩膜层表面形成第二牺牲层；
在所述第二牺牲层表面形成第二硬掩膜层；
在所述第二硬掩膜层表面形成第二光刻胶图形；
刻蚀所述第二硬掩膜层、第二牺牲层、第一硬掩膜层、第一牺牲层以及介质层。
8、如权利要求7所述的方法，其特征在于：所述第一和第二硬掩膜层为低温氧化物。
9、如权利要求8所述的方法，其特征在于：所述第一和第二硬掩膜层的厚度为500～4000
10、如权利要求7所述的方法，其特征在于：所述介质层为氟化硅玻璃、碳氧化硅或氧化硅。
11、如权利要求7所述的方法，其特征在于：所述第一和第二牺牲层为富硅聚合物。
12、如权利要求7所述的方法，其特征在于：所述方法还包括在所述第一和第二硬掩膜层表面形成底部抗反射层的步骤。
13、一种双镶嵌结构的制造方法，包括：
提供一表面具有介质层的半导体衬底；
在所述介质层表面形成第一牺牲层；
在所述第一牺牲层表面形成第一硬掩膜层；
在所述第一硬掩膜层表面形成第一光刻胶图形；
以所述第一光刻胶图形为掩膜刻蚀所述第一硬掩膜层；
移除所述第一光刻胶图形；
在所述第一硬掩膜层表面形成第二牺牲层；
在所述第二牺牲层表面形成第二硬掩膜层；
在所述第二硬掩膜层表面形成第二光刻胶图形；
以所述第二光刻胶图形为掩膜刻蚀所述第二硬掩膜层；
移除所述第二光刻胶图形；
刻蚀所述第二硬掩膜层、第二牺牲层、第一硬掩膜层、第一牺牲层以及介质层。
14、如权利要求13所述的方法，其特征在于：所述第一和第二硬掩膜层为低温氧化物。
15、如权利要求14所述的方法，其特征在于：所述第一和第二硬掩膜层的厚度为500～4000
16、如权利要求13所述的方法，其特征在于：所述介质层为氟化硅玻璃、碳氧化硅或氧化硅。
17、如权利要求13所述的方法，其特征在于：所述第一和第二牺牲层为富硅聚合物。
18、如权利要求13所述的方法，其特征在于：所述方法还包括在所述第一和第二硬掩膜层表面形成底部抗反射层的步骤。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
