[发明专利]通孔的形成方法

权利要求书

1、一种通孔的形成方法，其特征在于，包括步骤：

提供衬底，且在所述衬底上具有介质层；

利用掩膜在所述介质层上定义通孔图案；

利用第一预刻蚀气体对所述介质层进行第一预刻蚀，在部分厚度的所述介质层中形成通孔，并在通孔侧壁形成聚合物；

利用第二预刻蚀气体对所述介质层以及第一刻蚀中形成的通孔侧壁上的聚合物进行第二预刻蚀，且所述第二预刻蚀气体的碳/氟比小于所述第一预刻蚀气体的碳/氟比，在部分厚度的剩余的介质层中形成通孔，且使所述第一预刻蚀中形成通孔的侧壁上的聚合物减少；

对所述介质层进行主刻蚀，去除未被所述掩膜保护的剩余的介质层。

2、如权利要求1所述的形成方法，其特征在于：所述介质层为氧化硅层。

3、如权利要求1所述的形成方法，其特征在于：所述第一预刻蚀气体至少包含CH₂F₂、CHF₃和C₄F₈中的一种。

4、如权利要求1所述的形成方法，其特征在于：所述第二预刻蚀气体包含CF₄和O₂。

5、如权利要求1所述的形成方法，其特征在于：所述通孔的孔径由所述第一预刻蚀确定。

6、如权利要求1所述的形成方法，其特征在于：所述介质层的厚度在4000至8000之间。

7、如权利要求6所述的形成方法，其特征在于：所述第一预刻蚀的刻蚀深度在300至600之间。

8、如权利要求6所述的形成方法，其特征在于：所述第二预刻蚀的刻蚀深度在400至1000之间。

9、一种通孔的形成方法，其特征在于，包括步骤：

提供衬底，且在所述衬底上具有第一介质层、位于第一介质层之上的第二介质层和位于第二介质层上的第三介质层；

利用掩膜在所述第三介质层上定义通孔图案；

利用第一预刻蚀气体对所述第三介质层进行第一预刻蚀，在所述第三介质层未被所述掩膜保护的位置形成通孔，并在通孔侧壁形成聚合物；

利用第二预刻蚀气体对所述第二介质层以及第一刻蚀中形成的通孔侧壁上的聚合物进行第二预刻蚀，且所述第二预刻蚀气体的碳/氟比小于所述第一预刻蚀气体的碳/氟比，在所述第二介质层未被所述掩膜保护的位置形成通孔，且使所述第一预刻蚀中形成通孔的侧壁上的聚合物减少；

对所述第一介质层进行主刻蚀，去除未被所述掩膜保护的第一介质层。

10、如权利要求9所述的形成方法，其特征在于：所述第一预刻蚀气体至少包含CH₂F₂、CHF₃和C₄F₈中的一种。

11、如权利要求9所述的形成方法，其特征在于：所述第二预刻蚀气体包含CF₄。

12、如权利要求11所述的形成方法，其特征在于：所述第二预刻蚀气体还包含O₂。

13、如权利要求9所述的形成方法，其特征在于：所述掩膜为193nm光刻胶。

14、如权利要求9所述的形成方法，其特征在于：所述第一介质层厚度在3500至7000之间。

15、如权利要求14所述的形成方法，其特征在于：所述第二介质层厚度在500至700之间。

16、如权利要求14所述的形成方法，其特征在于：所述第三介质层厚度在800至1200之间。

17、如权利要求9所述的形成方法，其特征在于：在所述衬底与所述第一介质层之间还包含一层停止层。

18、如权利要求17所述的形成方法，其特征在于：所述停止层为氮化硅层或含氮的碳化硅层。

19、如权利要求9所述的形成方法，其特征在于：所述通孔的孔径由所述第一预刻蚀确定。