[发明专利]不同工艺规则SRAM图形的快速修改方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种集成电路版图的数据处理方法，特别是涉及一种集成电路版图中SRAM图形的快速修改方法。

背景技术

在深亚微米工艺的IC产品中，客户提交的版图中经常会使用经过OPC(光学临近效应修正)处理的SRAM Cell(静态存储器版图单元)。由于业内采用的OPC模型不尽相同，因此客户提交的版图往往不符合代工制造商的生产工艺要求。为了解决该问题，需要修改客户提交的版图，将其中不符合生产工艺的SRAM Cell修改为符合生产工艺的SRAM Cell。这个过程是由代工制造商的掩模版设计工程师完成的，目前是通过人工查阅客户提交的整个版图，查找出其中的每一个SRAM Cell，将其与自身可实施的每一个SRAM Cell进行逐一对比，找到与之最接近的SRAM Cell；然后使用自身可实施的、且与客户使用的SRAM Cell最接近的SRAM Cell替换客户使用的SRAM Cell。上述查找、比较和替换的全套人工操作不仅效率低下，而且存在较大的设计出错风险。

GDSII文件是目前IC业界通用的集成电路版图存储格式，它是一种二进制的数据结构，以二进制数据流形式进行存储。目前GDSII格式有着70种记录(record)用于存储版图的各种信息，包括版图的结构信息、坐标信息、层次信息等。以GDSII文件直接进行数据处理，往往比利用版图编辑工具效率更高，因为可以省掉数据导入和导出的时间。如果可以利用GDSII文件直接进行版图中SRAM图形的查找、比较和替换的工作，则不仅可以大幅度提高效率，而且大大增强了可靠性。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种不同工艺规则间集成电路版图中SRAM图形的快速修改方法。

为解决上述技术问题，本发明不同工艺规则SRAM图形的快速修改方法包括以下步骤：

第一步，建立一个SRAM Cell库，该SRAM Cell库中存储着所有可实施的SRAM Cell版图数据，该SRAM Cell库是以GDSII格式存储的；

第二步，同时读入待修改的版图文件和SRAMCell库，查找出这两个GDSII文件中的每一个SRAM Cell；

第三步，利用GDSII文件的阶层化结构，以二维图形的布尔运算为基础，比较待修改的版图文件中的一个SRAM Cell和SRAM Cell库中的每一个SRAM Cell，直至找出与待修改的版图文件中的SRAM Cell相似的SRAMCell库中的SRAM Cell；

第四步，将待修改的版图文件中的SRAM Cell以SRAM Cell库中的与之相似的SRAM Cell进行替换；

第五步，重复上述第三步至第四步，直至待修改的版图文件中的每一个SRAM Cell都找出了与之相似的SRAM Cell库中的SRAM Cell，并以SRAMCell库中的与之相似的SRAM Cell进行替换。

所述的不同工艺规则SRAM图形的快速修改方法，是以二进制的方式读入GDSII文件，以二进制数据流的方式查找SRAM Cell，以二进制数据流的方式替换SRAM Cell的。

本发明可以达到的技术效果是使得不同工艺规则间SRAM图形的快速修改成为可能，同时可以大幅度提高效率并增强可靠性。根据本发明原理设计的程序在某0.18μm工艺的集成电路上进行实验，在其他条件相同的情况下，原先人工操作需要一天多才能完成的SRAM图形修改任务，现在仅需约8分钟即可完成。

附图说明

下面结合附图和实施例对本发明作进一步详细的说明：

图1是待修改的版图文件中一个SRAM Cell的示意图；

图2是SRAM Cell库中一个SRAM Cell的示意图；

图3是本发明不同工艺规则SRAM图形的快速修改方法的流程图；

图4是本发明比较两个SRAM Cell是否相似的流程图；

图5是两个相同的SRAM Cell在同一层中图形重叠的示意图；

图6是两个SRAM Cell图形比较的示意图。

具体实施方式