[发明专利]利用可显影填充材料的两次图形曝光方法

权利要求书

1.一种利用可显影填充材料的两次图形曝光方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)在硅片上涂覆一层第一抗反射层(202)，然后涂覆第一光刻胶(203)；

(2)进行第一次光刻；

(3)利用第一光刻胶(203)作为刻蚀掩蔽层，刻蚀掉位于非第一光刻胶(203)保护区域内的第一抗反射层(202)和硅片；

(4)剥离第一光刻胶(203)和剩余的第一抗反射层(202)；

(5)用湿法将可显影的填充材料(204)涂覆在硅片表面，填充硅片之间的间隙，所述填充材料(204)由酮类、醚类、烷烃类有机溶剂，抗反射吸收材料，可与标准四甲基氢氧化铵显影液反应的有机酸基团树脂，以及含氧、氟元素的有机基团树脂，交联树脂构成，其分子量在1000到50000之间，折射率在1.0到3.0之间，消光系数在0.1到3.0之间，每次所涂覆的填充材料(204)的涂布剂量均为0.5ml到5ml，烘烤温度均为60℃到250℃，烘烤时间均为10秒到120秒；

(6)显影经过填充材料(204)涂覆后的硅片，去除硅片表面上方的填充材料(204)，实现硅片表面的平整表现；

(7)在经过显影后的硅片表面涂覆第二抗反射层(205)，然后在涂覆了第二抗反射层(205)的硅片表面再涂覆第二光刻胶(206)；

(8)进行第二次光刻；

(9)利用第二光刻胶(206)作为刻蚀掩蔽层，刻蚀掉位于非第二光 刻胶(206)保护区域内的第二抗反射层(205)和硅片；

(10)剥离第二光刻胶(206)和剩余的第二抗反射层(205)及填充材料(204)，然后进行清洗。

2.根据权利要求1所述的利用可显影填充材料的两次图形曝光方法，其特征在于，在执行所述步骤(5)时，应根据实际情况进行1～3次填充材料(204)的涂覆，每进行完一次填充材料(204)的涂覆后，都应对涂覆表现进行检测，以检查其是否满足填充硅片之间的间隙的要求，如果未满足要求，则可第2～3次涂覆，直至满足要求为止。

3.根据权利要求2所述的利用可显影填充材料的两次图形曝光方法，其特征在于，在执行所述步骤(6)时，应根据实际情况进行1～3次显影，每进行完一次显影后，都应对显影表现进行检测，如果发现硅片的表面上方还残留有填充材料(204)，则可进行第2～3次显影，直至硅片表面上方的填充材料(204)全部去除，硅片表面平整。

4.根据权利要求3所述的利用可显影填充材料的两次图形曝光方法，其特征在于，每次显影的显影液用量均为1ml到100ml，温度均为10℃到30℃，显影浸泡时间均为10秒到120秒。

5.根据权利要求4所述的利用可显影填充材料的两次图形曝光方法，其特征在于，对填充材料(204)进行显影后，还需使用去离子水冲洗硅片表面，以移除显影液，冲洗时间为10到120秒。