[发明专利]半导体器件的离子注入方法有效
| 申请号： | 200710040643.9 | 申请日： | 2007-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN101308786A | 公开（公告）日： | 2008-11-19 |
| 发明（设计）人： | 何永根;戴树刚 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/266 | 分类号： | H01L21/266 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 离子 注入 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种离子注入方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：
提供半导体基体，其包括半导体衬底、沉积于衬底上的栅氧化层以及位于栅氧化层上面的多晶硅层；
在多晶硅层上面生成保护氧化层；
在保护氧化层上镀光刻胶，进行曝光、蚀刻、显影步骤；
进行预掺杂步骤，使注入离子穿过保护氧化层注入多晶硅层内；
移除光刻胶；
移除保护氧化层。
2.如权利要求1所述的离子注入方法，其特征在于：所述保护氧化层设置的厚度范围是20-100埃。
3.如权利要求1所述的离子注入方法，其特征在于：所述保护氧化层在高温炉中生成。
4.如权利要求1所述的离子注入方法，其特征在于：所述保护氧化层在快速热氧化系统中生成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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