[发明专利]一种改善集成电路制程中硅位错的方法有效
| 申请号： | 200710040533.2 | 申请日： | 2007-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN101304000A | 公开（公告）日： | 2008-11-12 |
| 发明（设计）人： | 杨林宏;陈亮 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/71 | 分类号： | H01L21/71;H01L21/283;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 改善 集成电路 制程中硅位错 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种改善集成电路制程中硅位错的方法，其特征在于，至少包括以下步骤：
A、用氧化法生长第一栅氧化层；
B、在第一栅氧化层上用化学气相沉积法沉积预定厚度的第二栅氧化层；
C、通过电性测量仪器调整第一和第二栅氧化层的厚度，使MOS器件的电性参数符合制程要求。
2.如权利要求1所述的改善集成电路制程中硅位错的方法，其特征在于，所述氧化法至少包括湿法生长方式和干法生长方式。
3.如权利要求1所述的改善集成电路制程中硅位错的方法，其特征在于，所述第二栅氧化层的厚度大约为制程所需的栅氧化层的总厚度和第一栅氧化层的厚度之差。
4.如权利要求1所述的改善集成电路制程中硅位错的方法，其特征在于，所述电性参数至少包括MOS器件的开启电压、饱和电流、漏电流、击穿电压、栅氧化层的电容和栅氧化层的击穿电压。
5.如权利要求1所述的改善集成电路制程中硅位错的方法，其特征在于，所述步骤A中的氧化法是在800摄氏度条件下生长第一栅氧化层。
6.如权利要求1所述的改善集成电路制程中硅位错的方法，其特征在于，所述步骤B中的化学气相沉积法沉积第二栅氧化层的温度条件为780摄氏度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
