[发明专利]半导体器件

权利要求书

1、一种半导体器件，包括半导体衬底，位于半导体衬底上的栅极介电层、位于栅极介电层上的栅极，和半导体衬底内位于栅极沟道层与介电层两侧的源极和漏极，以及沿源极、漏极和栅极表面延伸的连接界面层，其特征在于：所述衬底上的栅极沟道层与两侧的源极和漏极中的主要带电离子为相同型态。

2、根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：所述半导体衬底为硅、或四价元素物质、或三价与五价元素的混合物。

3、根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：所述栅极沟道层中包含有五价离子掺杂物，所述掺杂物为磷、砷、锑、铋、或者氮之中的任意一种或者多种。

4、根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于：所述栅极沟道层中离子掺杂物的浓度为1E14到2E16/cm3。

5、根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：所述源极和漏极中包含有五价离子掺杂物，所述掺杂物为磷、砷、锑、铋、或者氮之中的任意一种或者多种。

6、根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于：所述源极和漏极中离子掺杂物的浓度为2E18到2E21/cm3。

7、根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于：所述栅极沟道层中离子掺杂物的浓度为1E15到2E17/cm³。

8、根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于：所述源极和漏极中离子掺杂物的浓度为1E19到4E21/cm3。

9、根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：所述连接界面层包含有金属硅化物。

10、根据权利要求9所述的半导体器件，其特征在于：所述金属硅化物的金属成分含钴、镍、钼、钛、钨、铜、或者铌。

11、一种半导体器件，包括半导体衬底，位于半导体衬底上的第一P型阱和第二P型阱，所述第一P型阱和第二P型阱分别具有栅极沟道层、栅极介电层、位于栅极介电层上的栅极和位于栅极介电层上的栅极两侧的间隙壁，以及半导体衬底内位于栅极沟道层与介电层两侧的源极和漏极，沿源极、漏极和栅极表面延伸的连接界面层，其特征在于：所述衬底上的栅极沟道层与两侧的源极和漏极中的主要带电离子为相同型态。

12、根据权利要求11所述的半导体器件，其特征在于：所述半导体衬底为硅、或四价元素物质、或三价与五价元素的混合物。

13、根据权利要求11所述的半导体器件，其特征在于：所述P型阱中包含有三价离子掺杂物，所述掺杂物为硼、氟化硼、镓、铟、铊、或铝之中的任意一种或者多种。

14、根据权利要求11所述的半导体器件，其特征在于：所述栅极沟道层中包含有五价离子掺杂物，所述掺杂物为磷、砷、锑、铋、或者氮之中的任意一种或者多种。

15、根据权利要求11所述的半导体器件，其特征在于：所述源极和漏极中包含有五价离子掺杂物，所述掺杂物为磷、砷、锑、铋、或者氮之中的任意一种或者多种。

16、根据权利要求13所述的半导体器件，其特征在于：所述P型阱中离子掺杂物的浓度为1E16到4E19/cm3。

17、根据权利要求11或14所述的半导体器件，其特征在于：所述第一P型阱栅极沟道层中离子掺杂物的浓度为1E14到2E16/cm3。

18、根据权利要求11或15所述的半导体器件，其特征在于：所述第一P型阱源极和漏极中离子掺杂物的浓度为2E18到2E21/cm3。

19、根据权利要求11或14所述的半导体器件，其特征在于：所述第二P型阱栅极沟道层中离子掺杂物的浓度为1E15到2E17/cm3。

20、根据权利要求11或15所述的半导体器件，其特征在于：所述第二P型阱源极和漏极中离子掺杂物的浓度为1E19到4E21/cm3。

21、根据权利要求11所述的半导体器件，其特征在于：所述连接界面层包含有金属硅化物。

22、根据权利要求21所述的半导体器件，其特征在于：所述金属硅化物的金属成分含钴、镍、钼、钛、钨、铜、或者铌。