[发明专利]利用深亚微米技术制造高电压装置的方法

权利要求书

1、 一种利用深亚微米技术制造高电压的装置，其特征在于包括下列步骤：

提供一基板，该基板包含，一栅极结构，位于该基板上，该栅极结构由下而上依次由一栅极氧化层及一多晶硅层组成，该栅极结构两侧有一源/漏极区，该源/漏极区内分别有一第一离子掺杂区及一第二离子掺杂区，该第一离子掺杂区及该第二离子掺杂区并未贯穿该源/漏极区；

沉积一介电层于该栅极结构上；

用一干式非等向性刻蚀方式对该介电层进行间隙壁刻蚀形成栅极间隙壁；

形成一图案化金属图案化金属硅化物层于该第一离子掺杂区及该第二离子掺杂区上，该图案化金属层的水平宽度小于该第一离子掺杂区及该第二离子掺杂区的水平宽度。

2、 根据权利要求1所述的利用深亚微米技术制造高电压的装置，其特征在于：该第一离子掺杂区及该第二离子掺杂区系属相同离子掺杂。

3、 根据权利要求1所述的利用深亚微米技术制造高电压的装置，其特征在于：该第一离子掺杂区及该第二离子掺杂区系P⁺型离子掺杂或N-型离子掺杂。

4、 根据权利要求1所述的利用深亚微米技术制造高电压的装置，其特征在于：该图案化金属图案化金属硅化物层形成的图案化为通过一图案化光致抗蚀涂层形成。

5、 根据权利要求1所述的利用深亚微米技术制造高电压的装置，其特征在于：该图案化金属图案化金属硅化物层形成的图案化所经过的刻蚀工艺为一干式刻蚀及一湿式刻蚀。

6、 一种MOS组件的结构，包括具有半导体组件的基板，其特征在于该基板包含：

一栅极结构，由下而上依次由一栅极氧化层及一多晶硅层组成；

该栅极结构之源/漏极区位于该栅极结构的两侧内，一第一离子掺杂区及一第二离子掺杂区分别位于该栅极结构的源/漏极之内；

一图案化金属图案化金属硅化物层，位于该栅极结构、该第一离子掺杂区及该第二离子掺杂区上，位于该第一离子掺杂区及该第二离子掺杂区上的该图案化金属图案化金属硅化物层其水平宽度小于该第一离子掺杂区及该第二离子掺杂区，通过该图案化金属图案化金属硅化物层来降低栅极结构及源/漏极与外部连接的接触电阻及继续维持栅极结构的击穿电压。

7、 根据权利要求6所述的MOS组件的结构，其特征在于：该第一离子掺杂区及该第二离子掺杂区系属相同离子掺杂。

8、 根据权利要求6所述的MOS组件的结构，其特征在于：该第一离子掺杂区及该第二离子掺杂区系P⁺型离子掺杂或N^-型离子掺杂。

9、 根据权利要求6所述的MOS组件的结构，其特征在于：该图案化金属图案化金属硅化物层形成的图案化是通过一图案化光致抗蚀涂层形成。

10、 根据权利要求6所述的MOS组件的结构，其特征在于：该图案化金属图案化金属硅化物层形成的图案化所经过的刻蚀工艺为一干式刻蚀及一湿式刻蚀。