[发明专利]萧特基二极管的制造方法无效
| 申请号： | 200710039425.3 | 申请日： | 2007-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN101286450A | 公开（公告）日： | 2008-10-15 |
| 发明（设计）人： | 马惠平;刘宪周;张有志;孔蔚然;周雪梅 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201203上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 萧特基 二极管 制造 方法 | ||
1、 一种萧特基二极管的制造方法，其特征在于包括以下步骤：
提供一具第一表面及第二表面的硅基板；
于该硅基板的该第一表面上形成一掩膜层；
以湿式刻蚀去除部分该掩膜层以开启欲形成萧特基二极管的区域；
沉积一钴金属层，并进行热处理以与该硅基板反应形成一硅化金属层；
移除未反应的该钴金属层；
于该硅化金属层上形成一金属层；
于该硅基板的该第二表面形成一金属层。
2、 根据权利要求1所述的萧特基二极管的制造方法，其特征在于：该硅基板为N型掺杂的硅基板。
3、 根据权利要求1所述的萧特基二极管的制造方法，其特征在于：该硅基板的晶向为(100)。
4、 根据权利要求1所述的萧特基二极管的制造方法，其特征在于：该掩膜层的材料为二氧化硅。
5、 根据权利要求1所述的萧特基二极管的制造方法，其特征在于：该湿刻蚀使用缓冲氧化刻蚀液。
6、 根据权利要求1所述的萧特基二极管的制造方法，其特征在于：该硅化金属层同时具有硅化钴与二硅化钴。
7 根据权利要求6所述的萧特基二极管的制造方法，其特征在于：该二硅化钴为晶向为(311)以外的二硅化钴。
8、 根据权利要求1所述的萧特基二极管的制造方法，其特征在于：该热处理的温度约为600℃。
9、 根据权利要求1所述的萧特基二极管的制造方法，其特征在于：该金属层的材料为铝。
10、 根据权利要求9所述的萧特基二极管的制造方法，其特征在于：该金属层掺杂有微量铜。
11、 根据权利要求10所述的萧特基二极管的制造方法，其特征在于：该铜的比例为0.5％。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海宏力半导体制造有限公司，未经上海宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710039425.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
